Высокоскоростной InGaAs/InP PIN-фотодиод TO1100PD4, 25 Гбит/с ,1100–1680 нм

TO1100PD4 – PIN-фотодиод на основе InGaAs/InP, предназначенный для регистрации оптических сигналов в ближнем инфракрасном диапазоне. Компонент рассчитан на высокоскоростные системы передачи данных класса 25 Гбит/с и выполнен в компактном металлическом корпусе.

Фотодиод сочетает малую активную область диаметром 20 мкм, низкую емкость 0,09–0,1 пФ и полосу пропускания по уровню −3 дБ до 21 ГГц. Такие параметры позволяют использовать его в приемных оптических трактах, где критичны быстродействие и минимальное влияние паразитной емкости детектора.

Рабочий спектральный диапазон 1100–1680 нм охватывает основные длинноволновые области волоконно-оптических систем, включая диапазоны около 1310 и 1550 нм.

Области применения:

• Высокоскоростные волоконно-оптические приемники;
• Приемные тракты телекоммуникационного оборудования;
• Оптические измерительные системы;
• Контроль мощности оптического излучения;
• Высокочастотные фотодетекторные модули;
• Оптические лабораторные установки;
• Приемники для диапазонов 1310 и 1550 нм;
• Оптоэлектронные устройства, где требуются малая емкость и высокое быстродействие.

Преимущества:

• Полоса пропускания 21 ГГц позволяет использовать фотодиод в высокоскоростных приемных каналах класса 25 Гбит/с;
• Очень малая емкость 0,09–0,1 пФ снижает нагрузку на входной усилительный каскад и способствует сохранению высокой полосы пропускания;
• Низкий темновой ток 0,2–1,0 нА уменьшает собственную фоновую составляющую фотоприемника;
• Чувствительность 0,9 А/Вт обеспечивает эффективное преобразование оптического излучения в электрический сигнал;
• Диапазон 1100–1680 нм подходит для наиболее распространенных длинноволновых телекоммуникационных окон;
• Высокая линейность, заявленная производителем, делает фотодиод пригодным не только для цифровых, но и для аналоговых оптических измерительных систем;
• Компактный корпус облегчает интеграцию фотодиода в высокочастотные оптоэлектронные сборки.

Технические характеристики