Лавинные фотодиоды часто используются для детектирования слабых световых сигналов. Si (кремниевые) фотодиоды используются для регистрации излучения в диапазоне от 250 до 1100 нм, InGaAs используется в качестве полупроводникового материала для регистрации излучения в диапазоне от 1100 до 1700 нм. В нашем ассортименте представлены лавинные фотодиоды с интегрированным предусилителями в компактном герметичном корпусе, лавинные фотодиоды состыкованные с оптическим волокном, а также кремниевые лавинные фотодиоды для счета фотонов, изготовленые по технологии «сквозной структуры», благодаря которой удалось достигнуть низкого уровня шума и темнового тока для эффективной регистрации сигналов.
