|
Поставщик
|
Hamamatsu |
|
Типы изделий
|
фотодиоды |
|
Материал
|
SI (кремниевые) |
|
Упаковка
|
Керамика |
|
Условия измерения
|
Тип. Ta=25 ℃, Фоточувствительность: λ=960 нм, Темновой ток: VR=10 мВ, Емкость вывода: VR=0 В, f=10 кГц, если не указано иное |
|
Эквивалентная мощность шума (тип.)
|
1,3×10-14 Вт/Гц1/2 |
|
Время нарастания (тип.)
|
1 мкс |
|
Фоточувствительность (тип.)
|
0,5 А/Вт |
|
Пиковая длина волны чувствительности (тип.)
|
960 нм |
|
Спектральный диапазон отклика
|
от 190 до 1100 нм |
|
Обратное напряжение (макс.)
|
5 В |
|
Охлаждение
|
Неохлаждаемый |
|
Количество элементов
|
1 |
|
Светочувствительная область
|
5,8 × 5,8 мм |
Описание
Si фотодиоды S1337-66BQ от Hamamatsu — это кремниевые фотодиоды с большой активной областью, предназначенные для точного измерения оптической мощности в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах. Они отличаются высокой чувствительностью, низким темновым током и превосходной линейностью в широком динамическом диапазоне. Диоды смонтированы в компактном корпусе с кварцевым окном, защищающим кристалл и обеспечивающим пропускание от 190 нм до 1100 нм. Серия S1337-66BQ оптимизирована для работы в фотометрических и радиометрических приборах, а также в качестве датчиков обратной связи в лазерных системах. Активная площадь обычно составляет 5,8×5,8 мм или более, что позволяет собирать рассеянное излучение без дополнительной фокусировки. Кремниевая структура генерирует фототок, строго пропорциональный интенсивности падающего света в широком диапазоне мощности от пиковатт до милливатт. Фотодиоды обладают быстрым откликом (время нарастания менее 0,5 мкс), что позволяет использовать их в импульсных лазерных измерениях. Низкая ёмкость перехода и малый темновой ток обеспечивают высокое отношение сигнал/шум. Hamamatsu гарантирует однородность чувствительности по площади и предоставляет индивидуальные паспорта на каждую партию. Устройство совместимо со стандартными операционными усилителями для фотодиодов в трансимпедансной схеме включения.
Характеристики
Производитель/модель: Hamamatsu S1337-66BQ. Тип: кремниевый фотодиод. Активная площадь: 33 мм² (5,8×5,8 мм). Спектральный диапазон: 190–1100 нм. Пиковая чувствительность: ~0,5 А/Вт на 960 нм. Чувствительность на 633 нм: 0,35 А/Вт. Темновой ток: <10 пА (при 1 В обратного смещения). Ёмкость перехода: ~200 пФ (0 В). Время нарастания: 0,5 мкс (50 Ом нагрузка). Линейность: ±0,1% в диапазоне до 1 мВт. Корпус: TO-8 с кварцевым окном. Рабочая температура: -20°C до +80°C.
Отрасли применения
Фотодиоды S1337-66BQ используются в калиброванных измерителях мощности лазерного излучения. В спектрофотометрах они служат высокоточными детекторами поглощения. В оптоволоконных системах мониторинга они применяются для контроля мощности передатчиков. Также востребованы в научных экспериментах по фотолюминесценции и комбинационному рассеянию, где требуется широкий динамический диапазон.
ОтФ до ИК, прецизионная фотометрия
Функции
-Высокая чувствительность к УФ-излучению: QE 75% (λ=200 нм)
-Низкая емкость
Оплата продукции производится по безналичному расчету на основании счета либо договора поставки. Компания АЗИМУТ ФОТОНИКС принимает участие в конкурсных торгах (электронных аукционах) на выполнение заказов от бюджетных организаций. Для бюджетных организаций предусмотрена работа с частичной предоплатой в рамках договоров по ФЗ.
Доставка оборудования и компонентов во все регионы России осуществляется транспортными компаниями (Major Express, Гарантпост, СДЭК) с обязательным соблюдением требований к транспортировке и хранению, также возможен самовывоз из нашего офиса в Москве. Условия отправки груза в страны СНГ и ЕАЭС необходимо уточнять отдельно у специалистов нашей компании.
Hamamatsu Photonics – японская компания, производящая оптоэлектронные датчики, фотоэлектронные умножители, источники света и оптико-электронные компоненты и системы.
Обратная связь по сайту
Что-то пошло не так или у вас есть идея по улучшению сайта? Сообщите, и мы всё поправим