|
Поставщик
|
Brandnew Technology Co., Ltd |
|
Артикул
|
VC850G14 |
|
Типы изделий
|
VCSEL чип |
|
Дифференциальная эффективность
|
0,45 Вт/А |
|
Выходная оптическая мощность
|
2,0–3,0 мВт |
|
Температура хранения
|
−40 до +100 °C |
|
Рабочее напряжение
|
1,9-2,1 В |
|
Длина волны (нм)
|
850 нм |
|
Спектральная ширина полосы (нм)
|
0,4-0,45 |
|
Расходимость излучения
|
22°-28° |
|
Цвет лазера
|
ик лазеры |
|
Диапазон длин волн, нм
|
840-860 |
|
Рабочая температура
|
−40 до +85 °C |
VCSEL чип 850 нм предназначен для высокоскоростных оптических модулей короткой дальности, активных оптических кабелей. Чип рассчитан на передачу данных со скоростью до 14 Гбит/с и подходит для интеграции в компактные оптические сборки, где важны стабильная мощность и низкое энергопотребление.
Излучатель формирует симметричный пучок с гауссовым профилем, что упрощает ввод излучения в волокна.
Преимущества:
- Скорость передачи данных до 14 Гбит/с;
- Длина волны 850 нм для многомодовых оптических линий;
- Низкий пороговый ток;
- Малое энергопотребление и сниженное тепловыделение;
- Гауссов профиль пучка;
- Удобное сопряжение с многомодовым волокном OM3 и OM4;
- Рабочий температурный диапазон от −40 до +85 °C;
- Устойчивость к повышенной влажности по GR-468.
Области применения:
- Оптические каналы связи короткой дальности;
- Подключаемые оптические трансиверы;
- Активные оптические кабели;
- Передающие оптические сборки для дата-центров;
- Высокоскоростные OEM-модули связи.
Технические характеристики
|
Параметры |
Характеристики |
|
Рабочая длина волны |
850 нм |
|
Диапазон центральной длины волны |
840–860 нм |
|
Скорость передачи данных |
14 Гбит/с |
|
Выходная оптическая мощность |
2,0–3,0 мВт |
|
Типовая выходная оптическая мощность |
2,5 мВт |
|
Пороговый ток |
0,8 мА, макс. 1,0 мА |
|
Рабочее напряжение |
1,9 В, макс. 2,2 В |
|
Последовательное сопротивление |
50–80 Ом |
|
Дифференциальная эффективность |
0,45 Вт/А |
|
Расходимость пучка по уровню 1/e² |
22°, макс. 28° |
|
Спектральная ширина |
0,4 нм, макс. 0,45 нм |
|
Относительный шум интенсивности |
до −128 дБ/Гц |
|
Режим |
CW |
|
Рабочая температура |
от −40 до +85 °C |
|
Температура хранения |
−40 до +100 °C |
|
Температурный коэффициент длины волны |
0,065 нм/°C |
|
Температурное изменение порогового тока |
0,0065 мА/°C |
|
Температурное изменение дифференциальной эффективности |
−0,4 %/K |
Предельные параметры
|
Параметры |
Характеристики |
|
Пиковый прямой ток, не более 10 с |
до 15 мА |
|
Максимальная оптическая мощность |
8,5 мВт |
|
Обратное напряжение |
до 1 В |
|
Температура монтажа, не более 10 с |
до 260 °C |
Габариты кристалла
|
Параметры |
Характеристики |
|
Длина кристалла 1×1 |
225–250 мкм, тип. 235 мкм |
|
Длина кристалла 1×4 |
970–1000 мкм, тип. 985 мкм |
|
Длина кристалла 1×12 |
2970–3000 мкм, тип. 2985 мкм |
|
Ширина кристалла |
220–250 мкм, тип. 235 мкм |
|
Толщина кристалла |
135–165 мкм, тип. 150 мкм |
|
Ширина контактной площадки |
70 мк |
Оплата продукции производится по безналичному расчету на основании счета либо договора поставки. Компания АЗИМУТ ФОТОНИКС принимает участие в конкурсных торгах (электронных аукционах) на выполнение заказов от бюджетных организаций. Для бюджетных организаций предусмотрена работа с частичной предоплатой в рамках договоров по ФЗ.
Доставка оборудования и компонентов во все регионы России осуществляется транспортными компаниями (Major Express, Гарантпост, СДЭК) с обязательным соблюдением требований к транспортировке и хранению, также возможен самовывоз из нашего офиса в Москве. Условия отправки груза в страны СНГ и ЕАЭС необходимо уточнять отдельно у специалистов нашей компании.
