InGaAs PIN-фотодиод 1000 мкм, 900–1650 нм

Длинноволновый PIN-фотодиод на основе InGaAs с активной областью диаметром 1000 мкм. Компонент рассчитан на регистрацию оптического излучения в диапазоне 900–1650 нм и подходит для телекоммуникационных, измерительных и сенсорных систем, работающих в ближней инфракрасной области спектра.

InGaAs-фоточувствительный элемент оптимизирован для длинноволнового излучения, где кремниевые фотодиоды уже имеют ограниченную чувствительность. Благодаря сочетанию большой активной площадки и широкого спектрального диапазона модель может применяться как универсальный фотоприемник в системах мониторинга оптической мощности и различных ИК-измерительных устройствах.

Области применения:

• Контроль и измерение мощности оптического излучения;
• Мониторинг выходной мощности оптических передатчиков;
• Волоконно-оптические приемные устройства;
• Оптические датчики и измерительные системы;
• Аналоговые системы AM/CATV;
• Телекоммуникационное оборудование;
• Лабораторные фотометрические и спектральные установки;
• Приемные узлы в диапазонах 1310 и 1550 нм.

Преимущества:

• Широкий спектральный диапазон 900–1650 нм охватывает основные телекоммуникационные окна, включая области 1310 и 1550 нм;
• Чувствительность 0,90 А/Вт обеспечивает эффективное преобразование входного оптического сигнала в фототок;
• Активная область диаметром 1000 мкм упрощает оптическое согласование и повышает удобство работы с пучками сравнительно большого диаметра;
• Низкий темновой ток 1,5–10 нА способствует повышению отношения сигнал/шум при регистрации слабого излучения;
• Высокая линейность делает фотодиод подходящим для измерительных систем и аналоговых оптических трактов, где важно точно отслеживать изменение мощности сигнала;
• Диапазон обратного смещения 3,3–15 В позволяет выбирать рабочий режим в зависимости от требований конкретной приемной схемы;
• Температурный диапазон −40…+85 °C позволяет использовать компонент в промышленном и телекоммуникационном оборудовании.

Технические характеристики