InGaAs фотодиод, диаметр активной зоны: 3.0 мм, корпус: TO-5

Описание

InGaAs фотодиод — это полупроводниковый фотоприёмник на основе индий-галлий-арсенидного гетероперехода, предназначенный для преобразования оптического излучения ближнего инфракрасного диапазона в электрический ток. По сравнению с кремниевыми фотодиодами, чувствительными преимущественно в видимом и близком ИК диапазоне до примерно 1100 нм, InGaAs структуры сохраняют высокую квантовую эффективность в существенно более длинноволновой области, что делает их основным выбором для телекоммуникационных длин волн и задач инфракрасного зондирования. Диаметр активной зоны фотодиода 3.0 мм обеспечивает достаточную площадь для приёма расфокусированного или слабо сколлимированного излучения без необходимости прецизионной юстировки оптического тракта. Корпус типа TO-5 представляет собой стандартный металлический герметичный корпус транзисторного типа с прозрачным оптическим окном, обеспечивающий защиту чувствительного полупроводникового кристалла от внешних воздействий влаги и механических повреждений при сохранении удобства монтажа на печатную плату или в измерительный модуль.

Характеристики

• Тип: фотодиод на основе InGaAs
• Диаметр активной зоны: 3.0 мм
• Корпус: TO-5 (герметичный металлический корпус)
• Спектральная область: ближний инфракрасный диапазон
• Принцип действия: фотоэлектрическое преобразование на гетеропереходе InGaAs
• Назначение: детектирование инфракрасного излучения

Отрасли применения

InGaAs фотодиоды широко используются в телекоммуникационном оборудовании для приёма сигналов по оптоволоконным линиям связи, в системах лазерной дальнометрии и LIDAR, в спектрометрах ближнего инфракрасного диапазона, а также в промышленных системах контроля влажности и состава веществ, где применяется инфракрасная спектроскопия. Их применяют и в военной и научной аппаратуре для регистрации слабых инфракрасных сигналов.

Описание семейства продуктов

• Диапазон отклика От 900 нм до 1700 нм
• Пакет поддерживает одномодовое и многомодовое соединение оптоволокна
• И малая площадь (высокая скорость), и большая площадь.

Фотодиоды InGaAs обеспечивают превосходный отклик в диапазоне от 900 до 1700 нм, что идеально подходит для телекоммуникаций и обнаружения в ближнем ИК-диапазоне. 70- и 120-микронные фотодиоды предлагаются в изолированных корпусах TO-46 с колпачком с линзой для подключения одномодовых и многомодовых волокон. Эти два размера также доступны с розетками FC с активным выравниванием. 70-микронный фотодиод идеально подходит для приложений с высокой пропускной способностью, а 120-микронный фотодиод идеально подходит для активных приложений юстировки. Фотодиод диаметром 3 мм изолирован в корпусе ТО-5 с широкополосным двусторонним просветляющим окном. Благодаря высокому сопротивлению шунта 3-миллиметровый фотодиод подходит для приложений с высокой чувствительностью к слабому сигналу.