InGaAs фотодиод, диаметр активной зоны: 0.12 мм, корпус: TO-46

Описание

InGaAs фотодиод артикула 55-754 от Edmund Optics представляет собой высокоскоростной приемник оптического излучения, смонтированный в стандартном герметичном металлостеклянном корпусе TO-46. Активная фоточувствительная зона диаметром 0,12 мм специально оптимизирована для детектирования сигналов, выходящих из одномодового оптоволокна, и обеспечивает минимальную емкость перехода (около 5 пФ), что в сочетании с малым временем нарастания (<0,5 нс) позволяет использовать диод в высокоскоростных линиях связи. Материал фотодиода — арсенид индия-галлия (InGaAs) — обладает высокой квантовой эффективностью в ближнем инфракрасном диапазоне от 800 до 1700 нм, достигая пиковой чувствительности около 1,0 А/Вт на ключевых телекоммуникационных длинах волн 1310 и 1550 нм. Низкий темновой ток (<0,5 нА) гарантирует высокое отношение сигнал/шум даже при малых уровнях освещенности. Корпус TO-46 с плоским окном из просветленного кварца удобен для пайки в плату и совместим со стандартными юстировочными держателями. Фотодиод может работать как в фотогальваническом режиме (без смещения), так и с обратным смещением для увеличения быстродействия. Изделие поставляется в антистатической упаковке. Это надежный компонент для построения оптических приемников в системах передачи данных, OTDR-рефлектометров и лазерных дальномеров.

Характеристики

Артикул производителя: 55-754 (Edmund Optics). Тип: InGaAs фотодиод. Диаметр активной зоны: 0,12 мм. Корпус: TO-46 с кварцевым окном. Спектральный диапазон: 800–1700 нм. Пиковая чувствительность: ~1,0 А/Вт на 1550 нм. Темновой ток: <0,5 нА (при 5 В обратного смещения). Емкость: ~5 пФ (при 5 В). Время нарастания/спада: <0,5 нс (50 Ом нагрузка). Рабочее напряжение: до 20 В обратного смещения. Диапазон рабочих температур: -20°C до +70°C. Масса: <0,5 г.

Отрасли применения

Фотодиод 55-754 широко используется в высокоскоростных оптоволоконных приемниках для сетей 10G Ethernet. В оптических рефлектометрах (OTDR) он служит для детектирования слабых обратно-рассеянных сигналов. В импульсных лазерных дальномерах и лидарах диод применяется для приема отраженных зондирующих импульсов. Также востребован в научных экспериментах по квантовой криптографии и спектроскопии с временным разрешением.

Описание семейства продуктов

• Диапазон отклика От 900 нм до 1700 нм
• Пакет поддерживает одномодовое и многомодовое соединение оптоволокна
• И малая площадь (высокая скорость), и большая площадь.

Фотодиоды InGaAs обеспечивают превосходный отклик в диапазоне от 900 до 1700 нм, что идеально подходит для телекоммуникаций и обнаружения в ближнем ИК-диапазоне. 70- и 120-микронные фотодиоды предлагаются в изолированных корпусах TO-46 с колпачком с линзой для подключения одномодовых и многомодовых волокон. Эти два размера также доступны с розетками FC с активным выравниванием. 70-микронный фотодиод идеально подходит для приложений с высокой пропускной способностью, а 120-микронный фотодиод идеально подходит для активных приложений юстировки. Фотодиод диаметром 3 мм изолирован в корпусе ТО-5 с широкополосным двусторонним просветляющим окном. Благодаря высокому сопротивлению шунта 3-миллиметровый фотодиод подходит для приложений с высокой чувствительностью к слабому сигналу.