InGaAs фотодиод, диаметр активной зоны: 0.12 мм, корпус: FC Receptacle

Описание

InGaAs фотодиод артикула 55-757 от Edmund Optics представляет собой высокочувствительный приемник оптического излучения, смонтированный в специализированном корпусе типа FC Receptacle. Такая конструкция предусматривает встроенный прецизионный адаптер для прямого подключения стандартного оптоволоконного коннектора FC/PC, что значительно упрощает интеграцию диода в волоконно-оптические системы и исключает необходимость дополнительной юстировки. Активная зона фотодиода имеет диаметр 0,12 мм, что оптимизировано для приема излучения из одномодового волокна с малым модовым полем. Материал фотодиода — арсенид индия-галлия (InGaAs) — обеспечивает высокую спектральную чувствительность в диапазоне от 800 до 1700 нм, перекрывая все основные телекоммуникационные окна (850, 1310, 1550 нм). Пиковая чувствительность достигает 1,0 А/Вт на 1550 нм. Фотодиод характеризуется низким темновым током (<1 нА), малой емкостью перехода (~10 пФ) и быстрым временем нарастания (<0,5 нс), что позволяет использовать его в высокоскоростных линиях связи с пропускной способностью до нескольких гигабит в секунду. Корпус FC Receptacle обеспечивает надежное экранирование от электромагнитных помех и механическую стабильность. Изделие поставляется в антистатической упаковке и готово к монтажу. Это идеальный компонент для построения компактных оптических приемников, рефлектометров и измерителей мощности.

Характеристики

Артикул производителя: 55-757 (Edmund Optics). Тип: InGaAs фотодиод. Диаметр активной зоны: 0,12 мм. Корпус: FC Receptacle (встроенный адаптер для FC/PC). Спектральный диапазон: 800–1700 нм. Пиковая чувствительность: ~1,0 А/Вт на 1550 нм. Темновой ток: <1 нА (при 5 В обратного смещения). Емкость: ~10 пФ (при 5 В). Время нарастания: <0,5 нс (50 Ом нагрузка). Рабочая температура: -20°C до +70°C. Максимальная оптическая мощность: 10 мВт.

Отрасли применения

Фотодиод 55-757 широко используется в оптоволоконных системах мониторинга мощности передатчиков, где требуется прямое подключение к волокну без дополнительной юстировки. В пассивных оптических сетях (PON) он служит приемником в абонентских устройствах. В оптических рефлектометрах (OTDR) фотодиод применяется для детектирования обратно-рассеянных сигналов. Также он востребован в научных исследованиях по квантовой криптографии и в системах лазерной спектроскопии.

Описание семейства продуктов

• Диапазон отклика От 900 нм до 1700 нм
• Пакет поддерживает одномодовое и многомодовое соединение оптоволокна
• И малая площадь (высокая скорость), и большая площадь.

Фотодиоды InGaAs обеспечивают превосходный отклик в диапазоне от 900 до 1700 нм, что идеально подходит для телекоммуникаций и обнаружения в ближнем ИК-диапазоне. 70- и 120-микронные фотодиоды предлагаются в изолированных корпусах TO-46 с колпачком с линзой для подключения одномодовых и многомодовых волокон. Эти два размера также доступны с розетками FC с активным выравниванием. 70-микронный фотодиод идеально подходит для приложений с высокой пропускной способностью, а 120-микронный фотодиод идеально подходит для активных приложений юстировки. Фотодиод диаметром 3 мм изолирован в корпусе ТО-5 с широкополосным двусторонним просветляющим окном. Благодаря высокому сопротивлению шунта 3-миллиметровый фотодиод подходит для приложений с высокой чувствительностью к слабому сигналу.