Кремниевые фотодиоды для работы в фотогальваническом режиме от компании OSI Optoelectronics
Кремниевые фотодиоды от компании OSI Optoelectronics, работающие в фотогальваническом режиме, используются для применений, требующих высокую чувствительность и умеренные скорости отклика. Рабочий спектральный диапазон составляет от 350 нм до 1100 нм, что делает эти фотодиоды идеально подходящими для применений в видимой и ближней инфракрасной области спектра. Для получения дополнительной чувствительности в области 350-550 нм предлагаются фотодиоды с расширенной чувствительностью в синей области спектра.
Фотодиоды OSI Optoelectronics с фотогальваническим режимом работы имеют высокое шунтирующее сопротивление, низкий уровень шума и проявляют долговременную стабильность. В фотогальваническом режиме к фотодиоду не прикладывается никакое напряжение, он сам становится источником ЭДС с большим внутренним сопротивлением, поэтому такие фотодиоды остаются стабильными в широком температурном диапазоне или при низкой скорости считывания. Для использования в задачах с высокими уровнями освещенности (более 10 мВт/см2) для улучшения линейности рекомендуется использовать фотодиоды, работающие в фотодиодном режиме.
Эти кремниевые фотодиоды не предназначены для использования с обратно смещенным напряжением! Очень незначительное улучшение времени отклика может быть получено при подаче незначительного напряжения смещения. Приложение обратного смещения с напряжением более чем на несколько вольт превышающим 3 В приведет к выходу фотодиода из строя. Если требуется получения быстрого времени отклика, то стоит рассматривать фотодиоды, работающие в фотодиодном режиме.
Более подробную информацию о кремниевых фотодиодах OSI Optoelectronics с фотогальваническим режимом работы можно найти по ссылке:
Универсальные кремниевые фотодиоды OSI Optoelectronics
Для получения технических консультаций, а также по вопросам приобретения кремниевых фотодиодов от OSI Optoelectronics обращайтесь к представителям компании АЗИМУТ ФОТОНИКС.
