Импульсные лазерные диоды Laser Components

Компания Laser Components предлагает импульсные лазерные диоды 850D1S06x с длиной волны излучения 850 нм. Они обладают малым углом расхождения 10.5°х20° и высокой температурной стабильностью до +85 °С. Импульсный лазерный диод 850D1S06x имеет следующие параметры: производительность 0.9 Вт/А, размер излучающей площадки 150 мкм х 1 мкм, пиковая мощность 10.5 Вт, длительность импульса 150 нс и также подходит для значительно более коротких импульсов до 1 нс. Импульсный лазерный диод 850D1S06x поставляется в виде чипа установленного на керамическую подложку или в разных металлических корпусах: TO-18, 5.6 мм, 9 мм.

Помимо импульсных лазерных диодов на 850 нм компания Laser Components также производит импульсные лазерные диоды высокой мощности с длиной волны излучения 905 нм и 1550 нм. 

Импульсные лазерные диоды на 905 нм доступны в виде отдельных элементов или стэков из нескольких элементов с пиковой мощностью до 650 Вт. При производительности в 1 Вт/А импульсные лазерные диоды построенные на основе отдельных элементов достигают выходную мощность в 34 Вт, в то время как многоэлементные стэки позволяют получить выходную мощность до 650 Вт при длительности импульса 150 нс и коэффициенте заполнения 0.1%. Импульсные лазерные диоды на 905 нм поставляются в металлических корпусах TO-18, 5.6 мм, 9 мм, в коаксиальном корпусе 8-32, а также в виде чипа установленного на керамическую подложку.

По сравнению с лазерными системами с длиной волны 905 нм дальнометрические комплексы, построенные на основе импульсных лазерных диодов с длиной волны 1550 нм, также работают при высоких уровнях мощности, но все же в безопасном для человеческого глаза диапазоне длин волн. Традиционные приборы ночного видения не могут регистрировать длину волны 1550 нм, что делает эти импульсные лазерные диоды с выходной мощностью до 45 Вт пригодными для использования в военных лазерных дальномерах или системах идентификации типа «свой/чужой».

Основным элементом, используемым при изготовлении импульсного лазерного диода, работающего на длине волны 1550 нм, является соединение InP с дополнительными слоями InGaAsP. Структура InGaAsP обеспечивает высокую надежность, хорошие характеристики луча, и устойчивость к высоким температурам. Широкий диапазон рабочих температур составляет от -45 °C до +85 °C. Традиционно импульсные лазерные диоды на 1550 нм изготавливаются в металлическом корпусе TO-18, 9 мм. По запросу клиентов также возможно изготовление импульсных лазерных диодов под конкретные задачи.

По вопросам приобретения импульсных лазерных диодов Laser Components обращайтесь к менеджерам компании АЗИМУТ ФОТОНИКС.