Описание
Кристаллы Cr3+:LiSAF обладают широкими полосами излучения в ближнем ИК-диапазоне, что позволяет использовать их в лазерах с широким диапазоном перестройки длины волны и получать импульсы длительностью около 10 фс в режиме синхронизации мод. Кристаллы Cr:LiSAF могут быть выращены с очень низким уровнем внутренних потерь (<0.2%/см), что позволяет создавать с их помощью высокодобротные резонаторы, которые обеспечивают порог генерации до 2 мВт и дифференциальную квантовую эффективность выше 50%. Также нелинейная часть показателя преломления кристаллов Cr:LiSAF примерно в 4 раза меньше, чем у кристаллов Ti:Sapphire, что снижает нежелательные нелинейные эффекты при генерации ультракоротких импульсов и усилении.
Особенности: - Широкие линии поглощения и излучения; - Нелинейная часть показателя преломления в 4 раза меньше, чем у Ti:Sapphire; - Изготовление на заказ по запросу. |
Применения: - Фемтосекундные лазеры; - Лазерные системы на основе усиления чирпированных импульсов;
|
Свойства кристаллов Cr:LiSAF
Спектроскопические и термо-механические свойства | |
---|---|
Пик линии поглощения |
670 нм |
Сечение поглощения на пиковой длине волны |
5.5×10-20 см2 |
Ширина линии поглощения |
~100 нм |
Длина волны излучения |
830 (780-920) нм |
Время жизни 4T2 уровня |
67 мкс |
Сечение излучения |
5×10-20 см2 |
Показатель преломления |
1.41 |
Кристаллическая структура |
Тригональная |
Плотность |
3.45 г/см3 |
Твердость по Моосу |
4 |
Теплопроводность |
4.6 (||a), 5.1 (||c) Вт*м-1К-1 |
Термооптический коэффициент dn/dT |
-4.2 × 10-6 K-1 (no), -4.6 × 10-6 K-1 (ne) |
Температурный коэффициент расширения |
22 × 10-6 (||a) K-1, 3.6 × 10-6 (||c) K-1 |
Тип. степень легирования |
0.8-3 ат.% |
Линии поглощения и излучения
Стандартная спецификация Cr:LiSAF кристаллов
Параметр |
Значение |
---|---|
Ориентация |
a-cut |
Поглощение |
>90% |
Допуск на поперечные размеры |
+0.0/-0.1 мм |
Допуск на длину кристалла |
±0.1 мм |
Отклонение от параллельности |
<20 угловых секунд |
Отклонение от перпендикулярности |
<10 угловых минут |
Защитные фаски |
<0.1 мм на 45˚ |
Качество поверхностей |
10-5 S-D |
Плоскостность рабочих граней |
<λ/10 @ 632.8 нм |
Покрытия |
R<1% @ 670 нм + R<0.5% @ 700-1100 нм (для рабочих поверхностей) |
Порог разрушения |
>10 Дж/см2 @ 1064 нм, 10 нс |
Крепление |
Без крепления |
В таблице ниже представлены стандартные модели, по запросу пользователя возможно изготовление кристаллов других размеров. По вопросам изготовления других конфигураций лазерных кристаллов Optogama обращайтесь к представителям компании АЗИМУТ ФОТОНИКС.