Фотодиоды InGaAs серии IG19 представляют собой панохроматические пин-фотодиоды, которые работают в спектральном диапазоне 900-1900 нм и имеют диаметр активной области 0,25 мм и 1 мм. Эти фотодиоды изготавливаются в герметичном металлическом ТО-корпусе с возможностью использования встроенного термоэлектрического Пельтье холодильника, а также для поверхностного монтажа в виде голого чипа. Эти InGaAs фотодиоды обладают превосходным шунтирующим сопротивлением в сочетании с высокой чувствительностью в широком спектральном диапазоне.
Особенности:
- спектральный диапазон 500-1900 нм;
- типовая пиковая чувствительность 1.15 А/Вт;
- превосходная температурная стабильность;
- широкий динамический диапазон.
Применения:
- спектрофотометрия;
- контроль диодных лазеров.
Оптические параметры фотодиодов InGaAs на диапазон 500-1900 нм (при +25 0С):
|
Модель |
Диаметр активной области, мкм |
Длина волны 50% отсечки, мкм |
Пиковая длина волны, мкм |
Пиковая чувствительность, А/Вт |
Пиковая чувствительность при 520 нм, А/Вт |
Чувствительность при 1500 нм, А/Вт |
Чувствительность при 1700 нм, А/Вт | ||||
|
Мин. |
Тип. |
Мин. |
Тип. |
Мин. |
Тип. |
Мин. |
Тип. | ||||
|
IG19X250S4i |
250 |
>1.87 |
1.75±0.1 |
1.1 |
1.15 |
--- |
0.10 |
0.77 |
0.96 |
0.9 |
1.05 |
|
IG19X1000S4i |
1000 | ||||||||||
Электрооптические параметры фотодиодов InGaAs без термоэлектрического охлаждения (при +25 0С):
|
Модель |
Диаметр активной области, мкм |
Шунтирующее сопротивление при Vr=10мВ, МОм |
Темновой ток при Vr=0.25В, нА |
Пиковая обнаружительная способность D*, смГц1/2/Вт |
Пиковая чувствительность NEP, Вт/Гц1/2 |
Емкость при Vr=0В, пФ | ||||
|
Мин. |
Тип. |
Тип. |
Макс. |
Мин. |
Тип. |
Мин. |
Тип. |
Тип. | ||
|
IG19X250S4i |
250 |
8 |
16 |
5 |
50 |
1.2*1012 |
1.7*1012 |
2.9*10-14 |
4.1*10-14 |
60 |
|
IG19X1000S4i |
1000 |
0.8 |
1.6 |
40 |
400 |
7.6*1011 |
1.1*1012 |
0.9*10-13 |
1.3*10-13 |
1040 |
Электрооптические параметры фотодиодов InGaAs с термоэлектрическим охлаждением (при +25 0С):
|
Модель |
Диаметр активной области, мкм |
Рабочая температура,0С |
Шунтирующее сопротивление при Vr=10мВ, МОм |
Пиковая обнаружительная способность D*, смГц1/2/Вт |
Пиковая чувствительность NEP, Вт/Гц1/2 |
Емкость при Vr=0В, пФ | |
|
Мин. |
Тип. |
Тип. |
Тип. |
Тип. | |||
|
IG19X1000T7 |
1000 |
-20 |
30 |
105 |
8.8*1012 |
1.1*10-14 |
1040 |
|
IG19X1000T9 |
1000 |
-40 |
160 |
400 |
1.5*1013 |
6.6*10-15 |
1040 |
|
Поставщик
|
Laser Components |
|
Материал
|
InGaAs |
Оплата продукции производится по безналичному расчету на основании счета либо договора поставки. Компания АЗИМУТ ФОТОНИКС принимает участие в конкурсных торгах (электронных аукционах) на выполнение заказов от бюджетных организаций. Для бюджетных организаций предусмотрена работа с частичной предоплатой в рамках договоров по ФЗ.
Доставка оборудования и компонентов во все регионы России осуществляется транспортными компаниями (Major Express, Гарантпост, СДЭК) с обязательным соблюдением требований к транспортировке и хранению, также возможен самовывоз из нашего офиса в Москве. Условия отправки груза в страны СНГ и ЕАЭС необходимо уточнять отдельно у специалистов нашей компании.
