Фотодиоды InGaAs серии IG26 работают в спектральном диапазоне 500-2600 нм и имеют диаметр активной области от 0,25 мм до 3 мм. Эти фотодиоды изготавливаются в герметичном металлическом ТО-корпусе с возможностью использования встроенного термоэлектрического Пельтье холодильника, а также в SMD корпусе для поверхностного монтажа, на керамической подложке или в виде голого чипа. Также доступно изготовление фотодиодов InGaAs по требованиям клиента, например, с различными интерференционными фильтрами или в виде цифровых сенсорных модулей.
Особенности:
- спектральный диапазон 500-2600 нм;
- типовая пиковая чувствительность 1.45 А/Вт;
- превосходная температурная стабильность;
- широкий динамический диапазон.
Применения:
- контроль пламени;
- спектрофотометрия;
- контроль диодных лазеров;
- бесконтактное измерение температуры.
Оптические параметры фотодиодов InGaAs серии IG26 на диапазон 500-2600 нм (при +25 0С):
Модель |
Диаметр активной области, мкм |
Длина волны 50% отсечки, мкм |
Пиковая длина волны, мкм |
Пиковая чувствительность, А/Вт |
Чувствительность при 520 нм, А/Вт |
Чувствительность при 1300 нм, А/Вт |
Чувствительность при 1500 нм, А/Вт |
||||
Мин. |
Тип. |
Мин. |
Тип. |
Мин. |
Тип. |
Мин. |
Тип. |
||||
IG26X250S4i |
250 |
>2.45 |
2.25±0.1 |
1.30 |
1.50 |
- |
0.1 |
0.70 |
1.0 |
1.08 |
1.36 |
IG26X500S4i |
500 |
||||||||||
IG26X1000S4i |
1000 |
||||||||||
IG26X1300S4i |
1300 |
||||||||||
IG26X2000G1i |
2000 |
||||||||||
IG26X3000G1i |
3000 |
Электрооптические параметры фотодиодов InGaAs без термоэлектрического охлаждения (при +25 0С):
Модель |
Диаметр активной области, мкм |
Шунтирующее сопротивление при Vr=10мВ, МОм |
Темновой ток при Vr=0.25В, мкА |
Пиковая обнаружительная способность D*, смГц1/2/Вт |
Пиковая чувствительность NEP, Вт/Гц1/2 |
Емкость при Vr=0В, пФ |
Прямое напряжение, В |
||
Мин. |
Тип. |
Тип. |
Макс. |
Тип. |
Тип. |
Тип. |
Тип. |
||
IG26X250S4i |
250 |
25 |
60 |
2 |
8 |
1.2*1011 |
4.2*10-13 |
35 |
0.48 |
IG26X500S4i |
500 |
10 |
25 |
4 |
25 |
1.2*1011 |
6.0*10-13 |
140 |
|
IG26X1000S4i |
1000 |
3 |
9 |
8 |
75 |
1.0*1011 |
1.0*10-12 |
580 |
|
IG26X1300S4i |
1300 |
1 |
4 |
15 |
150 |
7.6*1010 |
1.5*10-12 |
1040 |
|
IG26X2000G1i |
2000 |
0.6 |
1.5 |
30 |
300 |
5.8*1010 |
2.4*10-12 |
1920 |
|
IG26X3000G1i |
3000 |
0.25 |
0.7 |
75 |
750 |
4.8*1010 |
3.6*10-12 |
3200 |
Электрооптические параметры фотодиодов InGaAs с термоэлектрическим охлаждением (при +25 0С):
Модель |
Диаметр активной области, мкм |
Рабочая температура, 0С |
Шунтирующее сопротивление при Vr=10мВ, МОм |
Пиковая обнаружительная способность D*, смГц1/2/Вт |
Пиковая чувствительность NEP, Вт/Гц1/2 |
Емкость при Vr=0В, пФ |
|
Мин. |
Тип. |
Тип. |
Тип. |
Тип. |
|||
IG26X250T7 |
250 |
-20 |
300 |
625 |
1.9*1011 |
1.2*10-13 |
35 |
IG26X1000T7 |
1000 |
80 |
140 |
3.6*1011 |
2.4*10-13 |
580 |
|
IG26X1300T7 |
1300 |
15 |
44.5 |
2.6*1011 |
4.3*10-13 |
1035 |
|
IG25X2000T7 |
2000 |
13 |
33 |
3.5*1011 |
5.0*10-13 |
1925 |
|
IG26X3000T7 |
3000 |
3.5 |
9.2 |
2.8*1011 |
9.6*10-13 |
3200 |
|
IG26X250T9 |
250 |
-40 |
1000 |
2000 |
4.0*1011 |
5.6*10-14 |
35 |
IG26X1000T9 |
1000 |
300 |
590 |
7.4*1011 |
1.2*10-13 |
580 |
|
IG26X1300T9 |
1300 |
65 |
195 |
5.5*1011 |
2.0*10-13 |
1035 |
|
IG26X2000T9 |
2000 |
60 |
135 |
7.1*1011 |
2.5*10-13 |
1925 |
|
IG26X3000T9 |
3000 |
15 |
32 |
5.2*1011 |
5.1*10-13 |
3200 |
Поставщик
|
Laser Components |
Материал
|
InGaAs |
Оплата продукции производится по безналичному расчету на основании счета либо договора поставки. Компания АЗИМУТ ФОТОНИКС принимает участие в конкурсных торгах (электронных аукционах) на выполнение заказов от бюджетных организаций. Для бюджетных организаций предусмотрена работа с частичной предоплатой в рамках договоров по ФЗ.
Доставка оборудования и компонентов во все регионы России осуществляется транспортными компаниями (Major Express, Гарантпост, СДЭК) с обязательным соблюдением требований к транспортировке и хранению, также возможен самовывоз из нашего офиса в Москве. Условия отправки груза в страны СНГ и ЕАЭС необходимо уточнять отдельно у специалистов нашей компании.