Фотодиоды InGaAs серии IG22 работают в спектральном диапазоне 500-2200 нм и имеют диаметр активной области от 0,25 мм до 3 мм. Эти фотодиоды изготавливаются в герметичном металлическом ТО-корпусе с возможностью использования встроенного термоэлектрического Пельтье холодильника, а также в SMD корпусе для поверхностного монтажа, на керамической подложке или в виде голого чипа. Также доступно изготовление фотодиодов InGaAs по требованиям клиента, например, с различными интерференционными фильтрами или в виде цифровых сенсорных модулей.
Особенности:
- спектральный диапазон 500-2200 нм;
- типовая пиковая чувствительность 1.40 А/Вт;
- превосходная температурная стабильность;
- широкий динамический диапазон.
Применения:
- контроль пламени;
- спектрофотометрия;
- контроль диодных лазеров;
- бесконтактное измерение температуры.
Оптические параметры фотодиодов InGaAs серии IG22 на диапазон 500-2200 нм (при +25 0С):
|
Модель |
Диаметр активной области, мкм |
Длина волны 50% отсечки, мкм |
Пиковая длина волны, мкм |
Пиковая чувствительность, А/Вт |
Чувствительность при 520 нм, А/Вт |
Чувствительность при 1300 нм, А/Вт |
Чувствительность при 1500 нм, А/Вт | ||||
|
Мин. |
Тип. |
Мин. |
Тип. |
Мин. |
Тип. |
Мин. |
Тип. | ||||
|
IG22X250S4i |
250 |
>2.15 |
1.95±0.1 |
1.15 |
1.40 |
- |
0.1 |
0.74 |
0.92 |
0.87 |
1.09 |
|
IG22X500S4i |
500 | ||||||||||
|
IG22X1000S4i |
1000 | ||||||||||
|
IG22X1300S4i |
1300 | ||||||||||
|
IG22X2000G1i |
2000 | ||||||||||
|
IG22X3000G1i |
3000 | ||||||||||
Электрооптические параметры фотодиодов InGaAs без термоэлектрического охлаждения (при +25 0С):
|
Модель |
Диаметр активной области, мкм |
Шунтирующее сопротивление при Vr=10мВ, МОм |
Темновой ток при Vr=0.25В, мкА |
Пиковая обнаружительная способность D*, смГц1/2/Вт |
Пиковая чувствительность NEP, Вт/Гц1/2 |
Емкость при Vr=0В, пФ |
Прямое напряжение, В | ||
|
Мин. |
Тип. |
Тип. |
Макс. |
Тип. |
Тип. |
Тип. |
Тип. | ||
|
IG22X250S4i |
250 |
500 |
1000 |
0.05 |
0.5 |
4.5*1011 |
1.1*10-13 |
40 |
0.56 |
|
IG22X500S4i |
500 |
200 |
600 |
0.1 |
1 |
4.9*1011 |
1.4*10-13 |
160 | |
|
IG22X1000S4i |
1000 |
60 |
300 |
0.2 |
2.5 |
4.9*1011 |
2.0*10-13 |
650 | |
|
IG22X1300S4i |
1300 |
25 |
150 |
0.5 |
5 |
4.0*1011 |
2.9*10-13 |
1100 | |
|
IG22X2000G1i |
2000 |
12 |
40 |
1 |
10 |
2.5*1011 |
5.6*10-13 |
1750 | |
|
IG22X3000G1i |
3000 |
4 |
12 |
5 |
50 |
1.7*1011 |
1.0*10-12 |
5200 | |
Электрооптические параметры фотодиодов InGaAs с термоэлектрическим охлаждением (при +25 0С):
|
Модель |
Диаметр активной области, мкм |
Рабочая температура, 0С |
Шунтирующее сопротивление при Vr=10мВ, МОм |
Пиковая обнаружительная способность D*, смГц1/2/Вт |
Пиковая чувствительность NEP, Вт/Гц1/2 |
Емкость при Vr=0В, пФ | |
|
|
Мин. |
Тип. |
Тип. |
Тип. |
Тип. | ||
|
IG22X250T7 |
250 |
-20 |
11000 |
23500 |
1.2*1012 |
1.8*10-14 |
40 |
|
IG22X1000T7 |
1000 |
600 |
1200 |
1.0*1012 |
8.1*10-14 |
650 | |
|
IG22X2000T7 |
2000 |
120 |
240 |
9.8*1011 |
1.8*10-13 |
1745 | |
|
IG22X3000T7 |
3000 |
62 |
190 |
1.3*1012 |
2.0*10-13 |
5200 | |
|
IG22X250T9 |
250 |
-40 |
48000 |
90000 |
2.7*1012 |
8.3*10-15 |
40 |
|
IG22X1000T9 |
1000 |
1600 |
3200 |
2.0*1012 |
4.4*10-14 |
650 | |
|
IG22X2000T9 |
2000 |
400 |
800 |
2.0*1012 |
8.8*10-14 |
1745 | |
|
IG22X3000T9 |
3000 |
260 |
610 |
2.6*1012 |
1.0*10-13 |
5200 | |
|
Поставщик
|
Laser Components |
|
Материал
|
InGaAs |
Оплата продукции производится по безналичному расчету на основании счета либо договора поставки. Компания АЗИМУТ ФОТОНИКС принимает участие в конкурсных торгах (электронных аукционах) на выполнение заказов от бюджетных организаций. Для бюджетных организаций предусмотрена работа с частичной предоплатой в рамках договоров по ФЗ.
Доставка оборудования и компонентов во все регионы России осуществляется транспортными компаниями (Major Express, Гарантпост, СДЭК) с обязательным соблюдением требований к транспортировке и хранению, также возможен самовывоз из нашего офиса в Москве. Условия отправки груза в страны СНГ и ЕАЭС необходимо уточнять отдельно у специалистов нашей компании.
