Фотоприемники HBPR, DC - 500 МГц

Компания FEMTO предлагает сбалансированные фотоприемники с низким уровнем шума серии HBPR для обнаружения малых оптических сигналов от постоянного тока (DC) до 500 МГц.

За счет точной разницы между двумя входными сигналами подавляется синфазный шум, такой как шум интенсивности используемого лазерного источника. Таким образом, наименьшие оптические сигналы могут быть извлечены из тракта измерения сигнала, которые в противном случае были бы перекрыты шумом.

Фотоприемники серии HBPR состоят из комбинации двух антипараллельно соединенных фотодиодов с последующим трансимпедансным усилителем с малым шумом. Фотодиоды тщательно отбираются и подбираются попарно для достижения максимально возможного коэффициента подавления синфазного сигнала (CMRR). Низкий входной шум (NEP) и превосходное подавление синфазных помех устанавливают стандарты для симметричных фотоприемников в диапазоне МГц и обеспечивают высокочувствительное обнаружение сигнала. Широкая полоса пропускания позволяет точно обнаруживать лазерные импульсы даже с высокой частотой повторения и быстро меняющейся формой сигнала, например, в томографии квантового состояния.

Благодаря дополнительным функциям, таким как переключаемое ограничение полосы пропускания (фильтр низких частот), отдельные быстрые разъемы к монитору, регулируемое смещение и переключаемое соединение постоянного и переменного тока, фотоприемники серии HBPR являются одними из самых универсальных симметричных фотоприемников.

Совместимость с оптомеханическими компонентами

Фотоприемники серии HBPR разделяются на модели с окном для ввода излучения из свободного пространства (FST) и на модели с разъемами для подключения оптоволокна (FC).

Окна для ввода излучения из свободного пространства выполнены в виде фланца с резьбой 1.035"-40 с резьбовым соединительным кольцом (FST) или 25 мм фланцем без резьбы (FS). Оба типа обеспечивают широкую совместимость фотоприемника с оптомеханическими комплектующими различных производителей, такими как линзы, тубусы, каркасные системы, оптические адаптеры и т. д.

Фотоприемники с относительно большой площади облегчают оптическую фокусировку при применении окон для ввода излучения из свободного пространства и обеспечивают высокую и стабильную эффективность связи при использовании, опционально доступных, оптоволоконных адаптеров.

Модели на базе кремниевых фотодиодов с окнами FST, с фотодетекторами Ø0,8 мм могут быть легко оборудованы оптоволоконными соединениями (FC, FSMA) благодаря большой поверхности детектора, если прикрутить один оптоволоконный адаптер серии PRA. Для моделей с меньшими площадями детектора, такими как Ø0,4 / 0,3 мм, использование оптоволоконного адаптера рекомендуется только с некоторыми ограничениями, поскольку могут возникнуть нестабильность связи и её потери. Если основное внимание уделяется высокоточным оптоволоконным измерениям, то использование FC-моделей HBPR с фиксированным входом оптического волокна обычно дает наилучшие результаты.

Все фотоприемники HBPR оснащены резьбовыми отверстиями UNC 8-32 и M4 и поэтому могут быть удобно и легко интегрированы в оптические системы на стандартных держателях.

Технические характеристики моделей HBPR 320-1000 нм:

Модель	HBPR-100M-60K-SI-FS HBPR-100M-60K-SI-FST HBPR-100M-60K-SI-FC	HBPR-200M-30K-SI-FS HBPR-200M-30K-SI-FST HBPR-200M-30K-SI-FC	HBPR-500M-10K-SI-FS HBPR-500M-10K-SI-FST HBPR-500M-10K-SI-FC
Si-PIN фотодиод	Ø0.8 мм	Ø0.8 мм	Ø0.4 мм, FC с шаровыми линзами
Спектральный диапазон	320 - 1000 нм	320 - 1000 нм	320 - 1000 нм
Полоса пропускания (-3дБ)	DC - 100 МГц	DC - 200 МГц	DC - 500 МГц
Трансимпедансное усиление (переключаемое)	2.0 x 104 В/А 6.0 x 104 В/А	1.0 x 104 В/А 3.0 x 104 В/А	5.0 x 103 В/А 10.0 x 103 В/А
Коэффициент преобразования (переключаемый)	10.8 x 103 В/Вт. 32.4 x 103 В/Вт (при 850 нм)	5.4 x 103 В/Вт 16.2 x 103 В/Вт (при 850 нм)	2.55 x 103 В/Вт 5.1 x 103 В/Вт (при 760 нм)
Минимальный NEP	≤ 6,5 пВТ/√Гц (850 нм)	≤ 7,8 пВТ/√Гц (850 нм)	≤ 12 пВТ/√Гц (760 нм)
NEP (при 20 MHz)	≤ 7,4 пВТ/√Гц (850 нм)	≤ 8,8 пВТ/√Гц (850 нм)	≤ 13 пВТ/√Гц (760 нм)
Подавление синфазного сигнала	50 дБ	45 дБ	40 дБ
Техническая док-я версии FS / FST
Техническая док-я Версия FC

Технические характеристики моделей HBPR 800-1700 нм:

Модель	HBPR-100M-60K-IN-FS HBPR-100M-60K-IN-FST HBPR-100M-60K-IN-FC	HBPR-200M-30K-IN-FS HBPR-200M-30K-IN-FST HBPR-200M-30K-IN-FC	HBPR-450M-10K-IN-FS HBPR-450M-10K-IN-FST HBPR-50M-10K-IN-FC
Si-PIN фотодиод	Ø0.3 мм (модели FS/FST), Ø80 мкм, шаровые линзы (модель FC)
Спектральный диапазон	800 - 1700 нм (модель FS/FST), 900 - 1700 нм (модель FC)
Полоса пропускания (-3дБ)	DC - 100 МГц	DC - 200 МГц	DC - 450 МГц (FS/FST) DC - 500 МГц (FC)
Трансимпедансное усиление (переключаемое)	2.0 x 104 В/А 6.0 x 104 В/А	1.0 x 104 В/А 3.0 x 104 В/А	5.0 x 103 В/А 1.0 x 104 В/А
Коэффициент преобразования (переключаемый)	19 x 103 В/Вт 57 x 103 В/Вт	9.5 x 103 В/Вт 28.5 x 103 В/Вт	4.75 x 103 В/Вт 9.5 x 103 В/Вт
Минимальный NEP	≤ 3.7 пВТ/√Гц	≤ 4.4 пВТ/√Гц (FS/FST) ≤ 4.1 пВТ/√Гц (FC)	≤ 6.5 пВТ/√Гц (FS/FST) ≤ 6.7 пВТ/√Гц (FC)
NEP (при 20 MHz)	≤ 4.3 пВТ/√Гц (FS/FST) ≤ 4.0 пВТ/√Гц (FC)	≤ 4.9 пВТ/√Гц (FS/FST) ≤ 4.4 пВТ/√Гц (FC)	≤ 6.9 пВТ/√Гц
Подавление синфазного сигнала	50 дБ (FS/FST) 55 дБ (FC)	45 дБ (FS/FST) 50 дБ (FC)	35 дБ (FS/FST) 45 дБ (FC)
Техническая док-я версии FS / FST
Техническая док-я Версия FC

Общие технические характеристики моделей HBPR: