Макет калибровочных мер
Опции (для разных энергий):
|
Мера
|
Целевые энергии
|
|
Свободная EUV кремниевая мера nanoUSAF1951 (>100 нм Si3N4u) (отрицательная полярность, выгравировано на мембране Si3N4)
|
10-90 эВ (124-14 нм)
|
|
Калибровочная мера мягкого рентгеновского излучения со сверхвысоким разрешением (70 нм Au) (половина шага 15 нм)
|
100 - 500 эВ
|
|
Калибровочная мера мягкого рентгеновского излучения (150 нм Au) (половина шага 25 нм или выше)
|
100 - 1000 эВ
|
|
Калибровочная мера жесткого рентгеновского излучения (> 600 нм Au) (половина шага 40 нм или выше)
|
100 - 12000 эВ
|
Виды мер:
- L-образные меры;
- Звезды Сименса (большие и маленькие);
- Решетки с различным шагом и ячейками;
- Мера Nano USAF 1951.
Настраиваемые параметры:
1. Пользовательский логотип (площадь не более 50 мкм2);
2. Мембрана из нитрида кремния 50 нм с низким напряжением;
3. Мембрана из карбида кремния 200 нм с низким напряжением;
4. Подложка из плавленого кварца (толщиной ~500 мкм);
- Металлический хром на стекле (только положительный тон) толщиной >60 нм;
5. Отрицательная полярность (с прозрачными характеристиками);
- Минимальный размер элемента 40 нм (мягкое рентгеновское излучение);
- Минимальный размер элемента 80 нм (жесткое рентгеновское излучение);
6. Пользовательские размеры чипов.
