Кремниевые фотодиоды OSI Optoelectronics чувствительные в УФ области спектра
Компания OSI Optoelectronics предлагает чувствительные в УФ области спектра кремниевые фотодиоды двух типов: с инверсионным слоем и на диффузионных планарных структурах. Обе серии фотодиодов обладают низким уровнем шумов в УФ диапазоне.
Фотодиоды с инверсионным слоем и чувствительностью в УФ спектральном диапазоне обладают 100% внутренней квантовой эффективностью, а значит отлично подходят для регистрации световых сигналов низкой интенсивности. Они имеют высокое шунтирующее сопротивление, низкий уровень шума и высокое напряжение пробоя. Однородность отклика по всей поверхности и квантовая эффективность увеличиваются при приложении обратного напряжения смещения от 5 до 10 В. В фотогальваническом режиме (напряжение обратного смещения отсутствует) емкость таких фотодиодов будет больше, чем у фотодиодов на диффузионных структурах, но она будет уменьшаться при приложении напряжения обратного смещения. Нелинейность фототока в фотодиодах с инверсионным слоем устанавливается при более низких значениях тока, чем у фотодиодов на диффузионных структурах. При длинах волн менее 700 нм чувствительность фотодиодов незначительно меняется при изменении температуры.
Применения:
- Мониторинг загрязнений;
- Медицинское оборудование;
- Литография;
- Спектроскопия;
- Очищение воды;
- Флуоресцентный анализ.
Более подробную информацию о кремниевых фотодиодах OSI Optoelectronics с чувствительностью в УФ области спектра ищите по ссылке:
УФ кремниевые фотодиоды OSI Optoelectronics
Для получения технических консультаций, а также по вопросам приобретения кремниевых фотодиодов с чувствительностью в УФ области спектра от компании OSI Optoelectronics обращайтесь к представителям компании АЗИМУТ ФОТОНИКС.
