Для того чтобы кремниевые фотодиоды были чувствительны в спектральном диапазоне от 200 до 1100 нм их монтируют в корпус с кварцевым окном или стеклом пропускающим ультрафиолетовое излучение. Эти фотодиоды обладают низким темновым током и могут работать при обратном напряжении смещения для уменьшения емкости p-n перехода и снижения времени нарастания отклика сигнала. Компания OSI Optoelectronics предлагает два различных типа УФ чувствительных кремниевых фотодиодов – фотодиоды с инверсным слоем и планарные фотодиоды. Оба типа фотодиодов специально предназначены для регистрации слабых световых сигналов в ультрафиолетовой области спектра.
