Фотогальванические датчики инфракрасного излучения на основе КРТ (кадмий-ртуть-теллур, MCT=HgCdTe) оптимизированы для обеспечения максимальной производительности при длине волны λopt. Прикладывание внешнего напряжения обратного смещения (фотодиодный режим) может значительно повысить быстродействие и расширить динамический диапазон. Это в свою очередь обеспечит более высокую производительность на высоких частотах, однако на низких частотах возможно снижение производительности из-за фликкер-шума 1/f, возникающего при работе в режиме смещения. Стандартные датчики выпускаются в корпусах TO39 и BNC без окон.
Технические характеристики:
|
Серия
|
Пара-
метры
|
Оптимальная длина волны λopt [мкм]
|
Охлаж-
дение
|
Рабочая температура
|
Линзы
|
|
3
|
3.4
|
4
|
5
|
6
|
8
|
10.6
|
|
PV
|
D
t
|
6.5x109
350
|
5.0x109
260
|
3.0x109
150
|
1.0x109
120
|
5.0x108
80
|
4.0x107
4
|
|
нет
|
~300K
|
нет
|
|
PV-2TE
|
D
t
|
7.0x1010
280
|
4.0x1010
200
|
3.0x1010
100
|
9.0x109
80
|
2.0x109
50
|
2.0x108
30
|
1.0x108
10
|
2TE
|
~230K
|
нет
|
|
PV-3TE
|
D
t
|
1.0x1011
280
|
7.0x1010
200
|
4.0x1010
100
|
1.0x1010
80
|
4.0x109
50
|
3.0x108
30
|
1.5x108
10
|
3TE
|
~210K
|
нет
|
|
PV-4TE
|
D
t
|
1.5x1011
280
|
1.0x1011
200
|
6.0x1010
100
|
1.5x1010
80
|
5.0x109
50
|
4.0x108
30
|
2.0x108
10
|
4TE
|
~195K
|
нет
|
|
PVI
|
D
t
|
5.0x1010
350
|
4.5x1010
260
|
2.0x1010
150
|
9.0x109
120
|
4.0x109
80
|
4.0x108
4
| |
нет
|
~300K
|
да
|
|
PVI-2TE
|
D
t
|
5.5x1011
280
|
3.0x1011
200
|
2.0x1011
100
|
6.0x1010
80
|
2.0x1010
50
|
2.0x109
30
|
1.0x109
10
|
2TE
|
~230K
|
да
|
|
PVI-3TE
|
D
t
|
7.0x1011
280
|
5.0x1011
200
|
3.0x1011
100
|
8.0x1010
80
|
3.0x1010
50
|
3.0x109
30
|
1.5x109
10
|
3TE
|
~210K
|
да
|
|
PVI-4TE
|
D
t
|
8.0x1011
280
|
7.0x1011
200
|
4.0x1011
100
|
1.0x1011
80
|
4.0x1010
50
|
4.0x109
30
|
2.0x109
10
|
4TE
|
~195K
|
да
|
|
PVM
|
D
t
| | | | | |
6.0x107
4
|
1.0x107
1.5
|
нет
|
~300K
|
нет
|
|
PVM-2TE
|
D
t
| | | | | |
3.0x108
4
|
1.0x108
3
|
2TE
|
~230K
|
нет
|
|
PVMI
|
D
t
| | | | | |
3.0x108
4
|
1.0x108
1.5
|
нет
|
~300K
|
да
|
|
PVMI-2TE
|
D
t
| | | | | |
2.0x109
4
|
1.0x109
3
|
2TE
|
~230K
|
да
|
|
PVMI-3TE
|
D
t
| | | | | |
3.0x109
4
|
1.5x109
3
|
3TE
|
~210K
|
да
|
|
PVMI-4TE
|
D
t
| | | | | |
6.0x109
4
|
2.0x109
3
|
4TE
|
~195K
|
да
|
Примечания:
- D - Удельная обнаружительная способность [см⋅Гц1/2⋅Вт-1]
- t - Постоянная времени [нс]
