Фоторезистивные датчики инфракрасного излучения на основе КРТ (кадмий-ртуть-теллур, MCT=HgCdTe), работа которых основана на фотомагнитоэлектрическом (фотоэлектромагнитном) эффекте в полупроводниках, оптимизированы для обеспечения максимальной производительности при длине волны излучения 10.6 мкм. Конструкция датчика включает в себя чувствительный элемент на основе полупроводниковой структуры HgCdTe с оптимальным стехиометрическим составом и профилем распределения легирующей примеси, а также миниатюрные постоянные магниты для создания магнитного поля. Датчики прекрасно подходят для гетеродинного обнаружения излучения с длиной волны 10.6 мкм. Отсутствие фликкер-шума позволяет использовать их для одновременного обнаружения излучения с постоянной длиной волны и модулированного низкочастотного излучения в спектральном диапазоне от 2 до 11 мкм. Стандартные датчики выпускаются в специальных корпусах (с разъемом SMA) с клиновидным окном из фторида бария (BaF2).
Технические характеристики фотоэлектромагнитных HgCdTe-MCT детекторов
|
Серия
|
Параметры
|
Оптимальная длина волны λopt [мкм]
|
Охлаждение
|
Рабочая температура
|
Иммерсионные линзы
|
|
10.6
|
|
PEM
|
D [см⋅Гц1/2⋅Вт-1]
t [нс]
|
1.0x107
1
|
нет
|
~300K
|
нет
|
|
PEMI
|
D [см⋅Гц1/2⋅Вт-1]
t [нс]
|
5.0x107
1
|
нет
|
~300K
|
да
|
Примечания:
- D - Удельная обнаружительная способность [см⋅Гц1/2⋅Вт-1]
- t - Постоянная времени [нс]
