В данный момент нет активных товаров
Описание
Кристаллы Yb3+:YVO4 имеют широкую линию излучения, что обеспечивает широкий диапазон перестройки длины волны и генерацию ультракоротких импульсов в лазерах с синхронизацией мод. Благодаря хорошей теплопроводности кристаллы Yb:YVO4 используются в качестве активной среды лазеров на тонких дисках.
Особенности: - Простая электронная структура исключает поглощение из возбужденного состояния; - Широкая полоса усиления; - Низкий квантовый дефект; - Возможно изготовление на заказ по запросу. |
Применения: - Высокомощные непрерывные лазеры; - Лазеры с модуляцией добротности и синхронизацией мод; - Лазеры на тонких дисках. |
Свойства кристаллов Yb:YVO4
Параметры |
Значения |
---|---|
Пик линии поглощения |
985 нм |
Сечение поглощения на пиковой длине волны |
7,5×10-20 см2 |
Ширина линии поглощения |
5 нм |
Длина волны излучения |
1027 нм |
Время жизни 2F5/2 уровня |
250 мкс |
Сечение излучения на 1027 нм |
0,5×10-20 см2 |
Показатель преломления на 1064 нм |
n0=1.93, ne=2.1 |
Кристаллическая структура |
тетрагональная |
Плотность |
4,22 г/см3 |
Твердость по Моосу |
5 |
Теплопроводность |
5 Вт*м-1 K-1 |
Термооптический коэффициент dn/dT |
8.41×10-6 (//c) K-1, 15.5×10-6 ((//a) K-1 |
Коэффициент теплового расширения |
1.5×10-6 (//a) K-1, 8.2×10-6 (//c) K-1 |
Типовая степень легирования |
1-3 at.% |
Линии поглощения и излучения
Стандартная спецификация кристаллов Yb:YVO4
Параметры |
Значения |
---|---|
Ориентация |
a-cut |
Поглощение |
>90% |
Допуск на поперечные размеры |
+0/-0,1 мм |
Допуск на длину кристалла |
±0,1 мм |
Отклонение от параллельности |
<10 угловых секунд |
Отклонение от перпендикулярности |
<10 угловых минут |
Фаски |
<0,1 мм на 45˚ |
Качество поверхностей |
10-5 S-D |
Плоскостность рабочих граней |
<λ/10@632,8 нм |
Покрытия |
AR(R<0,25%) (985 нм) + AR(R<0,15%) (1000-1070 нм) |
Порог повреждений |
>10 Дж/см2 (1030 нм, 10 нс) |
Крепление |
Без крепления |
По вопросам изготовления лазерных кристаллов Optogama обращайтесь к представителям компании АЗИМУТ ФОТОНИКС.