Описание
Кристаллы Tm3+:YLF имеют удобно расположенные для диодной накачки сильные линии поглощения около 792 нм и демонстрируют процесс кросс-релаксации, который создает два иона на верхнем лазерном уровне для каждого поглощенного фотона накачки. Лазеры на кристаллах Tm3+:YLF идеально подходят для оптической накачки Ho3+:YAG-лазеров за счет хорошего перекрытия спектра излучения Tm3+:YLF и спектра поглощения Ho3+:YAG, а также способности излучать линейно-поляризованный свет. Более того, показатель преломления кристаллов Tm3+:YLF уменьшается с увеличением температуры, что ведет к возникновению отрицательной тепловой линзы, частично компенсируемой положительной линзой из-за выпуклости грани кристалла.
|
Особенности: - Интенсивные линии поглощения для накачки лазерными диодами; - Слабое влияние тепловой линзы; - Высокая чистота поляризации; - Возможно изготовление на заказ по запросу. |
Применения: - LIDAR-системы для задач зондирования; - Источник накачки для Ho3+:YAG. |
Свойства кристаллов Tm:YLF
|
Параметры |
Значения |
|---|---|
|
Пик линии поглощения |
792 нм |
|
Сечение поглощения на пиковой длине волны |
0.55×10-20 см2 |
|
Ширина линии поглощения |
16 нм |
|
Длина волны излучения |
1900 нм |
|
Время жизни 3F4 уровня |
16 мс |
|
Сечение излучения на 1900 нм |
0.4×10-20 см2 |
|
Показатель преломления на 1064 нм |
no=1.448, ne=1.470 |
|
Кристаллическая структура |
Тетрагональная |
|
Плотность |
3.95 г/см3 |
|
Твердость по Моосу |
5 |
|
Теплопроводность |
6 Вт*м-1 K-1 |
|
Термооптический коэффициент dn/dT |
-4.6×10-6 (//c) K-1, -6.6×10-6 ((//a) K-1 |
|
Коэффициент теплового расширения |
10.1×10-6 (//c) K-1, 14.3×10-6 ((//a) K-1 |
|
Типовая степень легирования |
2-4 at.% |
Стандартная спецификация для кристаллов Tm:YLF
|
Параметры |
Значения |
|---|---|
|
Ориентация |
a-cut |
|
Поглощение |
>90% |
|
Допуск на поперечные размеры |
+0.0/-0,1 мм |
|
Допуск на длину кристалла |
±0.1 мм |
|
Отклонение от параллельности |
<10 угловых секунд |
|
Отклонение от перпендикулярности |
<10 угловых минут |
|
Фаски |
<0.1 мм на 45˚ |
|
Качество поверхностей |
10-5 S-D |
|
Плоскостность рабочих граней |
<λ/10 @ 632.8 нм |
|
Покрытия |
AR (R<0.5%) @ 792 нм + AR (R<0.2%) @ 1800-1960 нм (для обеих поверхностей) |
|
Порог повреждения |
>10 Дж/см2 @ 1900 нм, 10 нс |
|
Крепление |
Без крепления |
В таблице ниже представлены стандартные модели, по запросу пользователя возможно изготовление кристаллов других размеров. По вопросам изготовления других конфигураций лазерных кристаллов Optogama обращайтесь к представителям компании АЗИМУТ ФОТОНИКС.
