Описание
Ионы Ho3+ характеризуются высоким значением сечения излучения и долгим временем жизни верхнего уровня по сравнению с ионами Tm3+. Эти свойства особенно важны для эффективной работы лазера и достижения низкого порога генерации.
Несмотря на то, что Ho3+ не обладает интенсивными линиями поглощения, которые совпадали бы с коммерчески доступными лазерными диодами, совместное легирование ионами Ho3+ и Tm3+ позволяет достичь эффективной работы в области 2 мкм благодаря передаче энергии в системе Tm–Ho. Кристаллы Tm, Ho:KYW характеризуются широкими поляризационным спектром поглощения и широкой линией излучения, а также эффективной передачей энергии между ионами Tm3+ → Ho3+.
|
Особенности: - Широкие линии поглощения и излучения; - Эффективная передача энергии между ионами Tm3+ и Ho3+; - Высокая концентрация активных ионов с низким концентрационным тушением; - Возможно изготовление кристаллов на заказ по запросу. |
Применения: - 2 мкм лазеры для дистанционного зондирования (ЛИДАРы), метрология; - Медицинские применения; - Источник накачки для ОПГ в среднем ИК-диапазоне. |
Свойства кристаллов Tm, Ho:KYWs
|
Параметр |
Значение |
|---|---|
|
Пик линии поглощения |
802 нм |
|
Сечение поглощения на пиковой длине волны |
7.6×10-20 см2 |
|
Ширина линии поглощения |
~4 нм |
|
Длина волны излучения |
2060 нм |
|
Время жизни 5I7 уровня |
1,8 мс |
|
Сечение излучения на 2056 нм |
4.7×10-20 см2 |
|
Показатель преломления на 1040 нм |
ng=2.05, nm=2.01, np=1.97 |
|
Кристаллическая структура |
моноклинная |
|
Плотность |
6.5 г/см3 |
|
Твердость по Моосу |
4-5 |
|
Теплопроводность |
~3.3 Вт*м-1К-1 |
|
Термооптический коэффициент dn/dT |
dnm/dT=-9.2×10-6 K-1 |
|
Коэффициент теплового расширения |
αp=1.83×10-6 K-1, αm=10.29×10-6 K-1, αg=15.94×10-6 K-1 |
|
Тип. степень легирования |
5 at.% [Tm]
|
Линии поглощения и излучения
Стандартная спецификация кристаллов Tm, Ho:KYW кристаллов
|
Параметр |
Значение |
|---|---|
|
Ориентация |
Ng-cut |
|
Поглощение |
>90% |
|
Допуск на поперечные размеры |
+0/-0.1 мм |
|
Допуск на длину кристалла |
±0.1 мм |
|
Отклонение от параллельности |
<10 угловых секунд |
|
Отклонение от перпендикулярности |
<10 угловых минут |
|
Защитные фаски |
<0.1 мм на 45˚ |
|
Качество поверхностей |
10-5 S-D |
|
Плоскостность рабочих граней |
<λ/10@632,8 нм |
|
Покрытия |
R<0,5% (802 нм) + R<0,2% (2000-2100 нм) на рабочих гранях |
|
Порог повреждения |
>10 Дж/см2 (2060 нм, 10 нс) |
|
Крепление |
Без крепления |
В таблице ниже представлены стандартные модели, по запросу пользователя возможно изготовление кристаллов других размеров. По вопросам изготовления других конфигураций лазерных кристаллов Optogama обращайтесь к представителям компании АЗИМУТ ФОТОНИКС.
