Описание
Кристаллы Er3+:YAG являются активной средой для генерации излучения на безопасных для глаз длинах волн 1617 и 1645 нм, который может иметь резонансную диодную накачку в верхнюю лазерную трубку на 1470 нм и 1532 нм. Благодаря низкому квантовому дефекту можно достигать эффективности более 80% при прямой накачке волоконными лазерами или InGaAs/InP диодами. Используя сильно легированный эрбием (~50 ат.%) Используя YAG с высокой концентрацией ионов эрбия (~50 ат.%) можно получать эффективную непрерывную генерацию на длине волны около 3 мкм.
|
Особенности: - Изотропный кристалл (кубическая симметрия); - Высокая теплопроводность; - Интенсивная линия поглощения около 1470 нм совпадающая с линией излучения InGaAsP/InP лазерных диодов; - Спектр излучения на 1617 нм находится в окне прозрачности атмосферы - Возможно изготовление на заказ по запросу. |
Применения: - Непрерывные и импульсные лазеры (~1.6 мкм) с модуляцией добротности, внутриполосной накачкой и ограниченной эффективностью близкой к квантовым дефектам для военных приложений, включая лидары, телеметрию или активную визуализацию; - Безопасные для глаз лазеры (~1.6 мкм) с внутриполосной накачкой, волноводом и дифракционно-ограниченным выходом для телеметрии на большие расстояния и определения дальности; - Непрерывные и импульсные лазеры (~3 мкм) с модуляцией добротности для челюстно-лицевой хирургии, стоматологии, имплантологии и отоларингологии. |
Свойства кристаллов Er:YAG
|
Параметр |
Значения |
|---|---|
|
Пик линии поглощения |
960, 1470, 1532 нм |
|
Сечение поглощения на пиковой длине волны |
~1.0×10-20 см2 на 1470 нм |
|
Ширина линии поглощения |
~2-3 нм на 1470 нм |
|
Длина волны излучения |
1617, 1645, 2940 нм |
|
Время жизни 4I13/2 и I11/2 уровня |
6.0 мс (4I13/2), 0.1 мс (I11/2) |
|
Сечение излучения |
2.6×10-20 см2 на 2940 нм 5.2×10-20 см2 на 1645 нм |
|
Показатель преломления @1064 нм |
1.82 |
|
Кристаллическая структура |
Кубическая |
|
Плотность |
4.56 г/см3 |
|
Твердость по Моосу |
8.5 |
|
Теплопроводность |
~13 Вт*м-1 K-1 |
|
Термооптический коэффициент dn/dT |
7.8×10-6 K-1 |
|
Коэффициент теплового расширения |
~7×10-6 K-1 |
|
Типовая степень легирования |
1 ат.% (для ~1.6 мкм лазеров)
|
Линии поглощения и излучения
Стандартная спецификация кристаллов Er:YAG
|
Параметр |
Значение |
|---|---|
|
Ориентация |
[111] |
|
Поглощение |
>90% |
|
Допуск на поперечные размеры |
+0.0/-0.1 мм |
|
Допуск на длину кристалла |
±0.1 мм |
|
Отклонение от параллельности |
<10 угловых секунд |
|
Отклонение от перпендикулярности |
<10 угловых минут |
|
Защитные фаски |
<0.1 мм на 45˚ |
|
Качество поверхностей |
10-5 S-D |
|
Плоскостность рабочих граней |
<λ/10 @ 632.8 нм |
|
Покрытия |
Без покрытий (покрытия доступны по запросу) |
|
Крепление |
Без крепления |
В таблице ниже представлены стандартные модели, по запросу пользователя возможно изготовление кристаллов других размеров. По вопросам изготовления других конфигураций лазерных кристаллов Optogama обращайтесь к представителям компании АЗИМУТ ФОТОНИКС.
