Высокоскоростные InGaAs фотодиоды серии FCI-InGaAs-XXX с размером активной области площадью 75 мкм, 120 мкм, 300 мкм, 400 мкм и 500 мкм имеют характеристики достаточные для использования в передаче данных и телекоммуникационных приложениях. Низкая емкость, малый темновой ток и высокая чувствительность в диапазоне от 1100 нм до 1620 нм сделали эти фотоприемники идеальными для передачи данных в таких сетях как LAN, WAN, MAN и других высокоскоростных системах связи. Фотодиоды упакованы в трехштырьковый корпус TO-46 с плоским входным окном с антиотражающим покрытием или с микролинзой для повышения эффективности собирания света. Фотодиоды InGaAs серии FCI- InGaAs-XXX также предлагаются с оптическими разъемами FC, SC, ST и SMA.
Технические параметры высокоскоростных InGaAs фотодиодов:
|
Модель |
Диаметр активной области, мкм |
Чувствительность при 1310 нм, А/Вт |
Чувствительность при 1550 нм, А/Вт |
Темновой ток при Vr=5В, нА |
Емкость при Vr=5В, пФ |
Время нарастания импульса при Vr=5В, нс |
Макс. обратное напряжение, В |
Корпус |
|
FCI-InGaAs-75 |
75 |
0.9 |
0.95 |
0.03 |
1.5 |
0.2 |
--- |
TO-18 |
|
FCI-InGaAs-120 |
120 |
0.9 |
0.95 |
0.05 |
2 |
0.3 |
20 |
TO-18 |
|
FCI-InGaAs-300 |
300 |
0.9 |
0.95 |
0.3 |
10 |
1.5 |
15 |
TO-18 |
|
FCI-InGaAs-400 |
400 |
0.9 |
0.95 |
0.4 |
14 |
3.0 |
15 |
TO-18 |
|
FCI-InGaAs-500 |
500 |
0.9 |
0.95 |
0.5 |
20 |
10.0 |
15 |
TO-18 |
Оплата продукции производится по безналичному расчету на основании счета либо договора поставки. Компания АЗИМУТ ФОТОНИКС принимает участие в конкурсных торгах (электронных аукционах) на выполнение заказов от бюджетных организаций. Для бюджетных организаций предусмотрена работа с частичной предоплатой в рамках договоров по ФЗ.
Доставка оборудования и компонентов во все регионы России осуществляется транспортными компаниями (Major Express, Гарантпост, СДЭК) с обязательным соблюдением требований к транспортировке и хранению, также возможен самовывоз из нашего офиса в Москве. Условия отправки груза в страны СНГ и ЕАЭС необходимо уточнять отдельно у специалистов нашей компании.
C 1967 года корпорация OSI Optoelectronics занимается разработкой и производством фотодиодов на основе Si, InGaAs, GaAs
Обратная связь по сайту
Что-то пошло не так или у вас есть идея по улучшению сайта? Сообщите, и мы всё поправим