Фотоприемники серии PV-4TE представляют собой фотогальванические датчики инфракрасного излучения на основе КРТ (кадмий-ртуть-теллур, MCT=HgCdTe) с четырехступенчатым термоэлектрическим охладителем. Датчики оптимизированы для обеспечения максимальной производительности при длине волны λopt. По требованию заказчика коротковолновая граница области спектральной чувствительности датчиков может быть изменена. Прикладывание внешнего напряжения обратного смещения (фотодиодный режим) может значительно повысить быстродействие и расширить динамический диапазон. Это в свою очередь обеспечит более высокую производительность на высоких частотах, однако на низких частотах возможно снижение производительности из-за фликкер-шума 1/f, возникающего при работе в режиме смещения. Максимально высокие показатели производительности и стабильности достигнуты благодаря использованию сложной полупроводниковой структуры на основе HgCdTe с переменной шириной запрещённой зоны, оптимальному уровню легирования и прецизионной обработке поверхностей материалов с применением самых современных технологий. По специальному заказу возможно изготовление датчиков с квадрантными (четырёхсегментными) и многоэлементными фотоприёмниками с различными типами окон, линз и оптических фильтров. Стандартные датчики выпускаются в корпусе TO8 с клиновидным окном из фторида бария (BaF2). Также по специальному заказу возможно изготовление датчиков в других корпусах с разными типами окон и соединителей.
Особенности:
- высокая эффективность в спектральном диапазоне длин волн от 2 до 12 мкм;
- не требуется напряжение смещения;
- малая постоянная времени (высокое быстродействие);
- отсутствие фликкер-шума;
- идеально подойдут для быстродействующих систем измерения и контроля;
- широкий динамический диапазон;
- возможность изготовления приборов согласно техническим требованиям заказчика.
Технические параметры фотоприемников при температуре +20 °C:
Характеристика |
Обозначение |
Единица измерения |
PV-4TE-3 |
PV-4TE-3.4 |
PV-4TE-4 |
PV-4TE-5 |
PV-4TE-6 |
PV-4TE-8 |
PV-4TE-10.6 |
Оптимальная длина волны 1) |
λopt |
мкм |
3 |
3.4 |
4 |
5 |
6 |
8 |
10.6 |
Удельная обнаружительная способность 2): при λpeak при λopt |
D* |
см⋅Гц1/2⋅Вт-1 |
≥3.0×1011; ≥1.5×1011 |
≥2.0×1011; ≥1.0×1011 |
≥1.0×1011; ≥6.0×1010 |
≥4.0×1010; ≥1.5×1010 |
≥9.0×109; ≥5.0×109 |
≥5.0×108; ≥4.0×108 |
≥4.0×108; ≥2.0×108 |
Токовая чувствительность при длине волны λopt |
Ri |
А⋅Вт-1 |
≥0.5 |
≥0.8 |
≥1 |
≥1.3 |
≥1.5 |
≥1.5 |
≥0.7 |
Постоянная времени |
t |
нс |
≤280 |
≤200 |
≤100 |
≤80 |
≤50 |
≤30 |
≤10 |
Постоянная времени 3) |
t |
нс |
≤3 |
≤2 |
≤1 |
≤0.7 |
≤0.5 |
≤0.4 |
≤0.4 |
Произведение сопротивления на площадь активной области |
R⋅A |
Ом⋅см2 |
≥300 |
≥20 |
≥8 |
≥0.4 |
≥0.03 |
≥0.0006 |
≥0.0005 |
Рабочая температура |
T |
K |
~195 | ||||||
Угол приёма, F/# |
Φ, - |
градусы, - |
70, 0.87 |
Примечание:
1) По специальному заказу возможно изготовление датчиков, оптимизированных для других длин волн.
2) Указаны минимальные гарантированные значения D* для каждой модели датчика. По специальному заказу возможно изготовление датчиков с более высокими характеристиками.
3) Постоянная времени, которая может быть достигнута при обратном смещении (в некоторых моделях датчиков, поставляемых по специальному заказу). По требованию заказчика возможно изготовление датчиков с меньшим значением постоянной времени.
Размер активной области фотоприемников:
Модель |
Активная область*), мм×мм | |||||||||
0.025×0.025 |
0.05×0.05 |
0.1×0.1 |
0.2×0.2 |
0.25×0.25 |
0.5×0.5 |
1×1 |
2×2 |
3×3 |
4×4 | |
PV-4TE-3 |
O |
X |
X |
O |
O |
O | ||||
PV-4TE-3.4 |
O |
X |
X |
O |
O |
O | ||||
PV-4TE-4 |
O |
X |
X |
O |
O |
O | ||||
PV-4TE-5 |
O |
X |
X |
O |
O |
O | ||||
PV-4TE-6 |
O |
X |
X |
O |
O |
O | ||||
PV-4TE-8 |
X |
X**) |
P | |||||||
PV-4TE-10.6 |
X |
X**) |
P |
Примечание:
*) По специальному заказу поставляются датчики с круглой активной областью (диаметр [мм]).
**) Для датчиков, изготовленных на заказ, может потребоваться обратное напряжение смещения, чтобы увеличить динамическое сопротивление для улучшения АЧХ.
X - стандартные датчики
P - стандартные датчики в фотодиодном режиме
O - датчики, поставляемые по специальному заказу. Характеристики могут отличаться от указанных в спецификации.
Поставщик
|
VIGO Photonics |
Материал
|
HgCdTe |
Оплата продукции производится по безналичному расчету на основании счета либо договора поставки. Компания АЗИМУТ ФОТОНИКС принимает участие в конкурсных торгах (электронных аукционах) на выполнение заказов от бюджетных организаций. Для бюджетных организаций предусмотрена работа с частичной предоплатой в рамках договоров по ФЗ.
Доставка оборудования и компонентов во все регионы России осуществляется транспортными компаниями (Major Express, Гарантпост, СДЭК) с обязательным соблюдением требований к транспортировке и хранению, также возможен самовывоз из нашего офиса в Москве. Условия отправки груза в страны СНГ и ЕАЭС необходимо уточнять отдельно у специалистов нашей компании.