Сегментированные фотодиоды InGaAs серии FCI-InGaAs-QXXX с большой активной областью имеют чувствительную область, разделенную на четыре отдельных активных области. Эти фотодиоды имеют размер активной области 1 мм и 3 мм. Сегментированные InGaAs фотодиоды с однородной высокой чувствительностью и низкими перекрестными помехами между активными элементами идеально подходят для применений точного обнуления или центрирования, а также профилирования луча. Они обладают отличной чувствительностью в спектральном диапазоне от 1100 нм до 1620 нм, стабильностью в течение долгого времени и перепада температур, быстрое время отклика необходимое для высокоскоростных применений или использования в импульсном режиме. Фотодиоды упакованы в изолированные корпуса ТО-5 и ТО-8 с широкополосным двухсторонним антиотражающим покрытием плоского окна, а также могут быть установлены на керамической подложке по запросу.
Технические параметры сегментированных InGaAs фотодиодов (параметры приведены на 1 элемент):
|
Модель |
Диаметр активной области, мм |
Мертвая зона между элементами, мм |
Чувствит. при 1310 нм, А/Вт |
Чувствит. при 1550 нм, А/Вт |
Темновой ток при Vr=5В, нА |
Емкость при Vr=5В, пФ |
Время нарастания импульса при Vr=5В, нс |
Макс. обратное напряжение, В |
Корпус |
|
FCI-InGaAs-Q1000 |
1 |
0.045 |
0.9 |
0.95 |
0.5 |
25 |
3 |
15 |
ТО-5 |
|
FCI-InGaAs-Q3000 |
3 |
0.045 |
0.9 |
0.95 |
2 |
225 |
24 |
10 |
ТО-8 |
Оплата продукции производится по безналичному расчету на основании счета либо договора поставки. Компания АЗИМУТ ФОТОНИКС принимает участие в конкурсных торгах (электронных аукционах) на выполнение заказов от бюджетных организаций. Для бюджетных организаций предусмотрена работа с частичной предоплатой в рамках договоров по ФЗ.
Доставка оборудования и компонентов во все регионы России осуществляется транспортными компаниями (Major Express, Гарантпост, СДЭК) с обязательным соблюдением требований к транспортировке и хранению, также возможен самовывоз из нашего офиса в Москве. Условия отправки груза в страны СНГ и ЕАЭС необходимо уточнять отдельно у специалистов нашей компании.
C 1967 года корпорация OSI Optoelectronics занимается разработкой и производством фотодиодов на основе Si, InGaAs, GaAs
Обратная связь по сайту
Что-то пошло не так или у вас есть идея по улучшению сайта? Сообщите, и мы всё поправим