Фотодиоды на основе арсенида галлия (GaAs) серии FCI-H125/250G-GaAs-100 компании OSI Optoelectronics представляют собой высокоскоростные GaAs фотодиоды с размером активной области 100 мкм, которые имеют встроенный трансимпедансный усилителель с широким динамическим диапазоном. Благодаря тому что GaAs фотодиоды с трансимпедансными усилителями серии FCI-H125/250G-GaAs-100 изготавливаются в герметичных корпусах ТО-46 или ТО-52, а также благодаря низким темновым токам, низким емкостям и высокой чувствительности в спектральном диапазоне от 650 нм до 860 нм, эти фотодиоды идеально подходят для высокоскоростных применений, например, для использования в системах LAN, MAN и других высокоскоростных системах передачи данных.
Стандартными корпусами GaAs фотодиодов серии FCI-H125/250G-GaAs-100 компании OSI Optoelectronics являются металлические ТО корпуса со встроенными линзами для повышения коэффициента передачи оптической мощности, а также ТО корпуса с плоскими окнами, на обе стороны которых нанесены широкополосные антиотражающие покрытия. Кроме того, опционально, корпуса GaAs фотодиодов серии FCI-H125/250G-GaAs-100 могут быть состыкованы с оптическими волокнами оконцованными разъемами FC, SC, ST или SMA.
Применения:
- высокоскоростные системы передачи информации;
- Gigabit Ethernet;
- оптоволоконный протокол;
- ATM;
- SONET OC-48 / SDH STM-16;
Особенности:
- малошумящий трансимпедансный усилитель;
- широкая полоса пропускания;
- герметичный корпус ТО-46 или ТО-52;
- питание от +3.3 до +5 В;
- спектральная чувствительность в области 650-850 нм;
- дифференциальный выход.
Электрооптические характеристики GaAs фотодиодов серии FCI-H125/250G-GaAs-100:
|
Параметр/ Модель |
FCI-H125G-GaAs-100 |
FCI-H250G-GaAs-100 |
|
Размер активной области |
100 мкм |
100 мкм |
|
Напряжение питания усилителя |
от +3 до +5.5 В |
от +3 до +5.5 В |
|
Ток питания усилителя |
26 мА (0 до +70°C) |
35 мА (0 до +70°C) |
|
Спектральная чувствительность |
650-860 нм |
650-860 нм |
|
Дифференциальная чувствительность |
1700 В/Вт при -17 дБ |
1650 В/Вт при -17 дБ |
|
Дифференциальный трансимпеданс |
2800 Ом при -17 дБ |
2800 Ом при -17 дБ |
|
Чувствительность |
-26 дБ при BER 10-10 и PRBS 27-1 |
-22 дБ при при BER 10-10 и PRBS 27-1
|
|
Ширина пропускания |
900 МГц (-3 дБ) |
1700 МГц (-3 дБ) |
|
Нижняя граничная частота |
45 кГц (-3 дБ) |
30 кГц (-3 дБ) |
|
Дифференциальный симметричный выход |
250 мВ от пика до пика (-3 дБ) |
400 мВ от пика до пика (-3 дБ) |
|
Выходной импеданс |
50 Ом |
50 Ом |
|
Трансимпедансный диапазон линейности |
50 мкВт от пика до пика (<5%) |
65 мкВт от пика до пика (<5%) |
|
Тип корпуса |
4 контактный TO-46 или TO-52 |
4 контактный TO-46 или TO-52 |
Оплата продукции производится по безналичному расчету на основании счета либо договора поставки. Компания АЗИМУТ ФОТОНИКС принимает участие в конкурсных торгах (электронных аукционах) на выполнение заказов от бюджетных организаций. Для бюджетных организаций предусмотрена работа с частичной предоплатой в рамках договоров по ФЗ.
Доставка оборудования и компонентов во все регионы России осуществляется транспортными компаниями (Major Express, Гарантпост, СДЭК) с обязательным соблюдением требований к транспортировке и хранению, также возможен самовывоз из нашего офиса в Москве. Условия отправки груза в страны СНГ и ЕАЭС необходимо уточнять отдельно у специалистов нашей компании.
C 1967 года корпорация OSI Optoelectronics занимается разработкой и производством фотодиодов на основе Si, InGaAs, GaAs
Обратная связь по сайту
Что-то пошло не так или у вас есть идея по улучшению сайта? Сообщите, и мы всё поправим