Фотодиоды InGaAs серии FCI-InGaAs-XXX-X с большим размером активной области 1 мм, 1.5мм и 3 мм обладают отличной чувствительностью в спектральном диапазоне от 1100 нм до 1620 нм, проявляя высокую чувствительность к слабым световым сигналам. Эти фотодиоды InGaAs с большой активной областью идеально подходят для использования в широком круге инфракрасных приборов и применениях связанных с мониторингом различных сред. Чип фотодиода установлен в корпусе TO-46 или ТО-5 с широкополосным двухсторонним антиотражающим покрытием плоского окна. Фотодиоды InGaAs серии FCI-InGaAs-1500-X и FCI-InGaAs-3000-X поставляются с различными значениями шунтирующего сопротивления 5, 10, 20, 30 и 40 МОм.
Технические параметры InGaAs фотодиодов с большой активной областью:
|
Модель |
Диаметр активной области, мм |
Чувствительность при 1310 нм, А/Вт |
Чувствительность при 1550 нм, А/Вт |
Шунтирующее сопротивление при Vr=10 мВ, МОм |
Емкость при Vr=0В, пФ |
Корпус |
|
FCI-InGaAS-1000-X |
1 |
0.9 |
0.95 |
30 |
80 |
TO-18 |
|
FCI-InGaAs-1500-X |
1.5 |
0.9 |
0.95 |
--- |
200 |
TO-18 |
|
FCI-InGaAs-3000-X |
3 |
0.9 |
0.95 |
--- |
750 |
TO-5 |
Оплата продукции производится по безналичному расчету на основании счета либо договора поставки. Компания АЗИМУТ ФОТОНИКС принимает участие в конкурсных торгах (электронных аукционах) на выполнение заказов от бюджетных организаций. Для бюджетных организаций предусмотрена работа с частичной предоплатой в рамках договоров по ФЗ.
Доставка оборудования и компонентов во все регионы России осуществляется транспортными компаниями (Major Express, Гарантпост, СДЭК) с обязательным соблюдением требований к транспортировке и хранению, также возможен самовывоз из нашего офиса в Москве. Условия отправки груза в страны СНГ и ЕАЭС необходимо уточнять отдельно у специалистов нашей компании.
C 1967 года корпорация OSI Optoelectronics занимается разработкой и производством фотодиодов на основе Si, InGaAs, GaAs
Обратная связь по сайту
Что-то пошло не так или у вас есть идея по улучшению сайта? Сообщите, и мы всё поправим