Фотодиоды InGaAs на керамической подложке с антибликовым покрытием:
Компания OSI Optoelectronics предлагает фотодиоды InGaAs с очень низкой отражательной способностью, которые предназначены для использования в телекоммуникационных применениях с типовым оптическим коэффициентом отражения менее 0.6% в спектральном диапазоне от 1520 нм до 1620 нм. Такой ультра низкий коэффициент отражения в широком диапазоне длин волн была получена с помощью нанесения фирменного многослойного антибликового покрытия непосредственно на поверхность фотодиода InGaAs.
Технические параметры фотодиодов InGaAs на керамической подложке с антибликовым покрытием:
|
Модель |
Диаметр активной области, мкм |
Чувствит. при 1310 нм, А/Вт |
Чувствит. при 1550 нм, А/Вт |
Емкость при Vr=5В, пФ |
Темновой ток при Vr=5В, нА |
Макс. обратное напряжение, В |
Макс. обратный ток, мА |
Макс. прямой ток, мА |
|
FCI-InGaAs-WCER-LR |
--- |
0.85 |
0.90 |
15 |
1 |
20 |
2 |
5 |
Высокоскоростные фотодиоды InGaAs на керамической подложке:
Фотодиоды InGaAs серии FCI-InGaAs-XXX-WCER с размером активной области 70 мкм, 120 мкм, 300 мкм, 400 мкм, 500 мкм представляют собой высокоскоростные фотодиоды установленные на керамическую подложку. Эти компактные сборки предназначены для простоты интеграции.
Технические параметры высокоскоростных фотодиодов InGaAs на керамической подложке:
|
Модель |
Диаметр активной области, мкм |
Чувствит. при 1310 нм, А/Вт |
Чувствит. при 1550 нм, А/Вт |
Темновой ток при Vr=5В, нА |
Емкость при Vr=5В, пФ |
Время нарастания при Vr=5В, нс |
|
FCI-InGaAs-75WCER |
75 |
0.9 |
0.95 |
0.03 |
0.65 |
0.2 |
|
FCI-InGaAs-120WCER |
120 |
0.9 |
0.95 |
0.05 |
1 |
0.3 |
|
FCI-InGaAs-300WCER |
300 |
0.9 |
0.95 |
0.3 |
10 |
1.5 |
|
FCI-InGaAs-400WCER |
400 |
0.9 |
0.95 |
0.4 |
14 |
3 |
|
FCI-InGaAs-500WCER |
500 |
0.9 |
0.95 |
0.5 |
20 |
10 |
Высокоскоростные фотодиоды InGaAs на угловой керамической подложке:
Фотодиоды InGaAs серии FCI-InGaAs-XXX-ACER с размером активной области 70 мкм, 120 мкм, 300 мкм, 400 мкм, 500 мкм представляют собой высокоскоростные фотодиоды, установленные на керамическую подложку с поверхностью, размещенной под углом 5°, что позволяет существенно снизить отражение.
Технические параметры высокоскоростных фотодиодов InGaAs на угловой керамической подложке:
|
Модель |
Диаметр активной области, мкм |
Чувствит. при 1310 нм, А/Вт |
Чувствит. при 1550 нм, А/Вт |
Темновой ток при Vr=5В, нА |
Емкость при Vr=5В, пФ |
Время нарастания при Vr=5В, нс |
|
FCI-InGaAs-75ACER |
75 |
0.9 |
0.95 |
0.03 |
0.65 |
0.2 |
|
FCI-InGaAs-120ACER |
120 |
0.9 |
0.95 |
0.05 |
1 |
0.3 |
|
FCI-InGaAs-300ACER |
300 |
0.9 |
0.95 |
0.3 |
10 |
1.5 |
|
FCI-InGaAs-400ACER |
400 |
0.9 |
0.95 |
0.4 |
14 |
3 |
|
FCI-InGaAs-500ACER |
500 |
0.9 |
0.95 |
0.5 |
20 |
10 |
Высокоскоростные фотодиоды InGaAs на керамической подложке с выводами:
Фотодиоды InGaAs серии FCI-InGaAs-XXX-LCER с размером активной области 70 мкм, 120 мкм, 300 мкм, 400 мкм, 500 мкм представляют собой высокоскоростные фотодиоды, установленные на керамическую подложку с выводами.
Технические параметры высокоскоростных фотодиодов InGaAs на керамической подложке с выводами:
|
Модель |
Диаметр активной области, мкм |
Чувствит. при 1310 нм, А/Вт |
Чувствит. при 1550 нм, А/Вт |
Темновой ток при Vr=5В, нА |
Емкость при Vr=5В, пФ |
Время нарастания при Vr=5В, нс |
|
FCI-InGaAs-75LCER |
75 |
0.9 |
0.95 |
0.03 |
0.65 |
0.2 |
|
FCI-InGaAs-120LCER |
120 |
0.9 |
0.95 |
0.05 |
1 |
0.3 |
|
FCI-InGaAs-300LCER |
300 |
0.9 |
0.95 |
0.3 |
10 |
1.5 |
|
FCI-InGaAs-400LCER |
400 |
0.9 |
0.95 |
0.4 |
14 |
3 |
|
FCI-InGaAs-500LCER |
500 |
0.9 |
0.95 |
0.5 |
20 |
10 |
Высокоскоростные фотодиоды InGaAs на керамической подложке со стеклянным окном:
Фотодиоды InGaAs серии FCI-InGaAs-XXX-СCER с размером активной области 70 мкм, 120 мкм, 300 мкм, 400 мкм, 500 мкм представляют собой высокоскоростные фотодиоды, установленные на керамическую подложку со стеклянным окном прикрепленному к керамике, к которому может быть присоединено оптическое волокно. Эти фотодиоды могут поставляться с входным окном с нанесенным антиотражающим покрытием.
Технические параметры высокоскоростных фотодиодов InGaAs на керамической подложке со стеклянным окном:
|
Модель |
Диаметр активной области, мкм |
Чувствит. при 1310 нм, А/Вт |
Чувствит. при 1550 нм, А/Вт |
Темновой ток при Vr=5В, нА |
Емкость при Vr=5В, пФ |
Время нарастания при Vr=5В, нс |
|
FCI-InGaAs-75СCER |
75 |
0.9 |
0.95 |
0.03 |
0.65 |
0.2 |
|
FCI-InGaAs-120СCER |
120 |
0.9 |
0.95 |
0.05 |
1 |
0.3 |
|
FCI-InGaAs-300СCER |
300 |
0.9 |
0.95 |
0.3 |
10 |
1.5 |
|
FCI-InGaAs-400СCER |
400 |
0.9 |
0.95 |
0.4 |
14 |
3 |
|
FCI-InGaAs-500СCER |
500 |
0.9 |
0.95 |
0.5 |
20 |
10 |
Оплата продукции производится по безналичному расчету на основании счета либо договора поставки. Компания АЗИМУТ ФОТОНИКС принимает участие в конкурсных торгах (электронных аукционах) на выполнение заказов от бюджетных организаций. Для бюджетных организаций предусмотрена работа с частичной предоплатой в рамках договоров по ФЗ.
Доставка оборудования и компонентов во все регионы России осуществляется транспортными компаниями (Major Express, Гарантпост, СДЭК) с обязательным соблюдением требований к транспортировке и хранению, также возможен самовывоз из нашего офиса в Москве. Условия отправки груза в страны СНГ и ЕАЭС необходимо уточнять отдельно у специалистов нашей компании.
C 1967 года корпорация OSI Optoelectronics занимается разработкой и производством фотодиодов на основе Si, InGaAs, GaAs
Обратная связь по сайту
Что-то пошло не так или у вас есть идея по улучшению сайта? Сообщите, и мы всё поправим