Двухцветные фотодиоды в основном используются для бесконтактного измерения температуры. Температура измеряется как отношение интенсивности излучения двух смежных длин волн и сравнение их со стандартными кривыми излучения абсолютно черного тела. Преимущества бесконтактного измерения температуры определенно сделали эти фотодиоды идеально подходящими для таких задач. Двухцветные фотодиоды не зависят от коэффициента излучения, и на их чувствительность не влияют загрязняющие вещества в поле зрения фотодиода или движущиеся объекты. Кроме того эти фотодиоды могут измерять исследуемые объекты вне прямой видимости и способны работать при радиочастотных/электромагнитных помехах и в вакууме. Они также могут регистрировать оптическое излучение при наличии препятствий в зоне прямой видимости, дыма, пара или пыли, при загрязненном входном окне, а также видеть исследуемые объекты, размеры которых меньше, чем угол обзора фотодиода или перемещающиеся объекты вне поля зрения. Эти фотодиоды можно также использовать в применениях, в которых требуется регистрация широкого диапазона длин волн.
Компания OSI Optoelectronics предлагает два типа двухцветных фотодиодов. В первом варианте используется двухцветный фотодиод со структурой кремний-кремний, в котором один кремниевый фотодиод помещают поверх другого, для того чтобы фотоны более коротких длин волн поглощались в верхнем слое кремния, а фотоны длинноволнового спектра проникали глубже, поглощаясь в нижнем слое кремния. Для применений, требующих регистрации световых сигналов в более широком спектральном диапазоне за пределами 1,1 мкм, нижний кремниевый фотодиод заменяют на фотодиод на основе материала InGaAs. Для проведения более точных измерений двухцветный фотодиод со структурой кремний-InGaAs также доступен с двухстадийным термоэлектрическим Пельтье-охладителем, стабилизирующим температуру фотодиода InGaAs. Все двухцветные фотодиоды рассчитаны на эксплуатацию в фотогальваническом режиме (без смещения), тем не менее они могут быть смещены в случае необходимости до максимального обратного напряжения указанного в спецификации. Эти фотодиоды идеально подходят для соединения с операционным усилителем в токовом режиме. 
  
 
Технические параметры двухцветных фотодиодов:
| Модель | Материал элемента | Площадь активной области, мм2 | Спектр. диапазон, нм | Пик. длина волны, нм | Чувств., А/Вт при 870 нм | Шунт. сопротивление, МОм | Емкость, пФ | Время нарастания, мкс | Обнар. способ., смГц1/2/Вт при 870 нм | Обратное напря-жение, В | Корпус, ножки/тип | |
| Без термоэлектрического охлаждения: | ||||||||||||
| PIN-DSIn | Si (верх) | 2.54 | 400-1100 | 950 | 0.55 | 150 | 450 | 4 | 1.2*1013 | 5 | 17 / TO-5 | |
| PIN-DSIn | InGaAs | 1.50 | 1000-1800 | 1300 | 0.6 | 1 | 300 | 4 | 8.4*1011 | 2 | 17 / TO-5 | |
| PIN-DSS | Si (верх) | 2.54 | 400-1100 | 950 | 0.45 | 500 | 70 | 10 | 1.7*1013 | 5 | 17 / TO-5 | |
| PIN-DSS | Si | 2.54 | 950-1100 | 1060 | 0.12 | 500 | 70 | 150 | 4.7*1012 | 5 | 17 / TO-5 | |
| Двухстадийное термоэлектрическое охлаждение: | ||||||||||||
| PIN-DSIN-TEC | Si (верх) | 2.54 | 400-1100 | 950 | 0.55 | 150 | 450 | 4 | 1.2*1013 | 5 | 24 / ТО-8 | |
| PIN-DSIN-TEC | InGaAs | 1.50 | 1000-1800 | 1300 | 0.6 | 1 | 300 | 4 | 8.4*1011 | 2 | 24 / TO-8 | |
Оплата продукции производится по безналичному расчету на основании счета либо договора поставки. Компания АЗИМУТ ФОТОНИКС принимает участие в конкурсных торгах (электронных аукционах) на выполнение заказов от бюджетных организаций. Для бюджетных организаций предусмотрена работа с частичной предоплатой в рамках договоров по ФЗ.
Доставка оборудования и компонентов во все регионы России осуществляется транспортными компаниями (Major Express, Гарантпост, СДЭК) с обязательным соблюдением требований к транспортировке и хранению, также возможен самовывоз из нашего офиса в Москве. Условия отправки груза в страны СНГ и ЕАЭС необходимо уточнять отдельно у специалистов нашей компании.

 
									