Кремниевые фотодиоды OSI Optoelectronics с обедненным слоем для регистрации излучения с энергией более 17.6 кэВ
Высокоскоростные кремниевые фотодиоды OSI Optoelectronics с большой активной областью могут иметь полностью обедненный слой для достижения минимально возможной емкости pn-перехода, что обеспечит быстрое время отклика.
Кремниевые фотодиоды OSI Optoelectronics с обедненным слоем могут работать при более высоком обратном напряжении смещения, вплоть до максимально допустимого значения, для достижения времени отклика меньше наносекунд. При таком высоком обратном напряжении смещения повышается напряженность электрического поля на pn-переходе, тем самым увеличивается время сбора заряда в обедненной области. Стоит отметить, что это достигается без принесения в жертву высокой чувствительности, а также размера активной области. Кремниевые фотодиоды OSI Optoelectronics с большой активной областью могут иметь полностью обедненный слой для регистрации рентгеновских лучей, гамма-излучения, а также высокоэнергетических частиц, таких как электроны, альфа лучи и тяжелые ионы.
Данное излучение регистрируется двумя разными методами, с помощью косвенных и прямых измерений. При проведении косвенных измерений используется сцинтилляционный кристалл для конвертации высокоэнергетического излучения в свет видимого диапазона. Детекторы для таких измерений устанавливаются на керамическую подложку и покрываются прозрачным слоем эпоксидной смолы для лучшего сопряжения с сцинтиллятором. Данный метод широко используется для детектирования гамма-лучей и электронов. Но при измерении энергий более 17.6 кэВ, кремневые фотодиоды OSI Optoelectronics серии X-UV уже не будут справляться, поэтому в данном диапазоне энергий рекомендуется использовать фотодиоды с обедненным слоем.
Фотодиоды OSI Optoelectronics с обедненным слоем и большой площадью активной области (PIN-RD100 и PIN-RD100A) могут использоваться для прямых измерений высокоэнергетического излучения альфа-частиц и тяжелый ионов. При этом они не требуют эпоксидного покрытия или защитного окна из стекла.
Более подробную информацию о кремниевых фотодиодах OSI Optoelectronics с обедненным слоем ищите по ссылке:
Кремниевые фотодиоды OSI Optoelectronics с обедненным слоем
Для получения технических консультаций, а также по вопросам приобретения кремниевых фотодиодов для регистрации высокоэнергетического излучения компании OSI Optoelectronics обращайтесь к представителям компании АЗИМУТ ФОТОНИКС.
