Кремниевые фотодиоды для работы в фотодиодном режиме от компании OSI Optoelectronics

Кремниевые фотодиоды OSI Optoelectronics, работающие в фотодиодном режиме, предназначены для применений, в которых необходимы высокие значения скорости отклика и чувствительности. Рабочий диапазон данных фотодиодов составляет от 350 нм до 1100 нм, что делает их идеальными для применений в видимой и ближней инфракрасной области спектра, включая такие приложения как обнаружение импульсных лазерных источников, светодиодов или модулируемого света.

Два достижения высоких скоростей эти фотодиоды должны использоваться при обратном напряжении смещения. Например, типовое время отклика, которое составляет от 10 нс до 250 нс, может быть получено при приложении обратного напряжения 10 В. При приложении обратного напряжения смещения, уменьшается емкость, что соответствует увеличению скорости отклика. Обратное напряжение смещения не должно превышать 30 В. Более высокое напряжение смещения приведет к необратимому повреждению фотодиода.

Поскольку обратное напряжение смещения генерирует дополнительный темновой ток, шум в фотодиоде также будет увеличиваться при увеличении приложенного напряжения смещения. Если необходимо использовать малошумящие фотодиоды, то нужно рассматривать фотодиоды, работающие в фотогальваническом режиме.

Применения:

- Высокая скорость отклика;

- Низкие значения емкости;

- Низкий уровень темнового тока;

- Широкий динамический диапазон;

- Высокая чувствительность.

С полным ассортиментом кремниевых фотодиодов от компании OSI Optoelectronics с фотодиодным режимом работы можно ознакомиться по ссылке:

Фотодиоды OSI Optoelectronics с фотодиодным режимом работы

Для получения технических консультаций, а также по вопросам приобретения кремниевых фотодиодов от OSI Optoelectronics обращайтесь к представителям компании АЗИМУТ ФОТОНИКС.