Фотодиодные чипы для пайки от OSI Optoelectronics

Компания OSI Optoelectronics занимается производством фотодиодов, лазерных диодов, LCD дисплеев, а также электронные компоненты. Ключевыми продуктами компании являются кремниевые фотодиоды для широкого круга применений.

Для применений, в которых требуется изготовление большой активной области детектора или необходимо использование недорогих «одноразовых» фотодиодов предлагаются фотодиодные чипы для пайки от компании OSI Optoelectronics низкой стоимости. Эти фотодиоды поставляются с припаянными проводами или как стандартный голый чип. Диапазон чувствительности таких фотодиодов составляет от 400 нм до 1100 нм.

Фотодиодные чипы имеют низкую емкость, умеренные значения темнового тока, широкий динамический диапазон и высокое напряжение разомкнутой цепи. Эти фотодиоды доступны с двумя длинными проводами длиной 7.5 см припаянными к фронтальной поверхности активной области (анод) и обратной поверхности (катод). Чипы работают в фотодиодном или фотогальваническом режиме. Фотодиоды серии SXXCL, работающие в фотодиодном режиме, обладают малой емкостью и быстрым временем отклика. Все фотодиоды также доступны в виде голого чипа без каких-либо проводов. Для измерения больших выходных сигналов фотодиоды могут быть подключены непосредственно к измерителю тока или через резистор для измерения напряжения. Также выходной сигнал может быть измерен непосредственно с помощью осциллографа или через усилитель.

Особенности:

- Фотодиодный и фотогальванический режим;

- Диапазон чувствительности: 400 – 1100 нм;

- Площадь активной области: 4.7 - 189.0 мм²;

- Пиковая длина волны: 970 нм;

- Чувствительность: 0.65 А/Вт;

- Темновой ток: 20 – 1200 нА;

- Емкость: 15 – 17000 пФ.

Для получения технических консультаций, а также по вопросам приобретения кремниевых фотодиодов от компании OSI Optoelectronics обращайтесь к представителю компании АЗИМУТ ФОТОНИКС.