Фоторезистивные датчики инфракрасного излучения на основе КРТ (кадмий-ртуть-теллур, MCT=HgCdTe) оптимизированы для обеспечения максимальной производительности при длине волны λopt. Коротковолновая граница области спектральной чувствительности λcut-on≈0,9 мкм. Для возникновения фототока необходимо подавать напряжение смещения. Снижение производительности на низких частотах (менее 20 кГц) обусловлено наличием шума 1/f. Стандартные датчики выпускаются в корпусах TO39 и BNC без входных окон.
Технические характеристики:
|
Серия
|
Параметры
|
Оптимальная длина волны λopt [мкм]
|
Охлаж-
дение
|
T
|
Линзы
|
|
4
|
5
|
6
|
9
|
10.6
|
12
|
13
|
14
|
|
PC
|
D
t [нс]
|
2.0x109
1000
|
1.0x109
500
|
3.0x108
200
|
2.0x107
2
|
9.0x106
1
| | | |
нет
|
~300K
|
нет
|
|
PC-2TE
|
D
t [нс]
|
2.0x1010
4000
|
1.0x1010
2000
|
3.0x109
1000
|
4.5x108
20
|
1.4x108
10
|
4.5x107
2
|
2.0x107
2
| |
2TE
|
~230K
|
нет
|
|
PC-3TE
|
D
t[нс]
| | | |
1.5x109
7
|
2.5x108
5
|
9.0x107
5
|
6.0x107
4
| |
3TE
|
~210K
|
нет
|
|
PC-4TE
|
D
t [нс]
| | | |
3.0x109
8
|
5.0x108
7
|
2.0x108
7
|
1.0x108
6
|
3.0x107
5
|
4TE
|
~195K
|
нет
|
|
PCI
|
D
t [нс]
|
6.0x109
1000
|
4.0x109
500
|
8.0x107
200
|
1.0x108
2
|
9.0x107
1
| | | |
нет
|
~300K
|
да
|
|
PCI-2TE
|
D
t [нс]
|
4.0x1010
4000
|
2.0x1010
2000
|
1.0x1010
1000
|
4.0x109
20
|
1.4x109
10
|
4.5x108
2
|
2.3x108
2
| |
2TE
|
~230K
|
да
|
|
PCI-3TE
|
D
t [нс]
| | | |
6.0x109
7
|
2.5x109
5
|
9.0x108
5
|
4.5x108
4
| |
3TE
|
~210K
|
да
|
|
PCI-4TE
|
D
t [нс]
| | | |
1.0x1010
8
|
4.0x109
7
|
2.0x109
7
|
1.0x109
6
|
3.0x108
5
|
4TE
|
~195K
|
да
|
Примечания:
- D - Удельная обнаружительная способность [см⋅Гц1/2⋅Вт-1];
- t - Постоянная времени [нс];
- T - Рабочая температура [К].
