Интернет-магазин представительского класса

8 (800) 551-20-97

Заказать звонок

Задать вопрос

Ваш город

Москва

info@azimp.ru

Москва, ул. Шаболовка, д. 10,корп.1 помещ. 7/1 (м. Шаболовская)

Ru
- Назад
- Язык
- Ru
- En

Контактная информация

Москва, ул. Шаболовка, д. 10,корп.1 помещ. 7/1 (м. Шаболовская)

info@azimp.ru

Импульсные лазерные диоды на 905 нм

Производитель: Laser Components

Компания Laser Components производит импульсные лазерные диоды высокой мощности с длиной волны излучения 905 нм. Структура AlGaAs позволяет получить высокую степень надежности и стабильности температуры, а также достигает лучшие характеристики луча. Импульсные лазерные диоды на 905 нм поставляются в металлических корпусах TO-18, 5.6 мм, 9 мм, в коаксиальном корпусе 8-32, а также в виде чипа установленного на керамическую подложку. По запросу клиентов также возможно изготовление импульсных лазерных диодов под конкретные задачи.

Импульсные лазерные диоды на 905 нм доступны в виде отдельных элементов или стэков из нескольких элементов с пиковой мощностью до 650 Вт. При производительности в 1 Вт/А импульсные лазерные диоды построенные на основе отдельных элементов достигают выходную мощность в 34 Вт, в то время как многоэлементные стэки позволяют получить выходную мощность до 650 Вт при длительности импульса 150 нс и коэффициенте заполнения 0,1%.

Импульсные лазерные диоды серии UA с длиной волны излучения на 905 нм изготавливаемые в герметичном металлическом корпусе TO-56 представляют собой недорогую альтернативу импульсным лазерным диодам в пластмассовом корпусе. Кроме того, они обладают высокой надежностью, оптимальной термостабильностью и очень точным позиционированием чипа внутри корпуса. Импульсные лазерные диоды типа 905DxxUA достигают пиковой мощности от 6 Вт до 75 Вт при длительности импульса 150 нс и коэффициенте заполнения 0,1%.

Многоэлементные импульсные лазерные диоды демонстрируют пиковую мощность до 130 Вт при длительности импульса 200 нс. Герметичный корпус обеспечивает высокую надежность и очень точное выравнивание чипа внутри корпуса.

Многоэлементные импульсные лазерные диоды, состоящие из нескольких стэков, позволяют получить пиковую мощность до 650 Вт при длине волны излучения 905 нм. Они основаны на нескольких эпитаксиально-интегрированных излучателях с общей площадью излучающей поверхности 200х10 мкм и поэтому обеспечивают оптимальную интенсивность излучения. В зависимости от количества интегральных стэков можно получить пиковую мощность до 650 Вт.

Импульсные лазерные диоды на 905 нм используются в дальномерах, измерителях скорости, в лазерных радарах и системах безопасности.

Особенности:

- пиковая выходная мощность до 650 Вт;

- производительность до 2.6 Вт/А;

- минимальное отклонение луча;

- превосходная температурная стабильность;

- различные варианты герметичных корпусов.

Параметры недорогих импульсных лазерных диодов на 905 нм:

Параметр	905D1S03UA	905D1S09UA	905D1S3J03UA	905D1S3J09UA	Ед. изм.
Длина волны излучения	905	905	905	905	нм
Спектральная ширина линии	8	8	8	8	нм
Температурный коэффициент длины волны	0.27	0.27	0.27	0.27	нм/⁰С
Оптическая мощность	6.5	19	25	75	Вт
Излучающая площадка	75х1	230x1	85x10	235x10	мкм²
Максимальный прямой ток	7	22	11	35	А
Пороговый ток	250	750	500	800	мА
Прямое напряжение	3	4.7	9.5	12.8	В
Пиковое обратное напряжение	6	6	6	6	В
Длительность импульса	1	1	1	1	мкс
Коэффициент заполнения	0.1	0.1	0.1	0.1	%
Рабочая температура	-45…+85	-45…+85	-45…+85	-45…+85	⁰С

Параметры многоэлементных импульсных лазерных диодов на 905 нм:

Параметр	905D1S3J03X	905D1S3J06X	905D1S3J09X	905D2S3J09X	905D3S3J09X	Ед. изм.
Длина волны излучения	905	905	905	905	905	нм
Спектральная ширина линии	8	8	8	8	8	нм
Температурный коэффициент длины волны	0.27	0.27	0.27	0.27	0.27	нм/⁰С
Оптическая мощность	25	50	75	130	200	Вт
Излучающая площадка	85х10	160x10	235x10	235x200	235x400	мкм²
Максимальный прямой ток	11	22	20	35	35	А
Пороговый ток	300	500	800	800	800	мА
Прямое напряжение	12	11	11	11	11	В
Пиковое обратное напряжение	6	6	6	6	6	В
Длительность импульса	150	150	150	150	150	нс
Коэффициент заполнения	0.1	0.1	0.1	0.1	0.1	%
Рабочая температура	-45…+85	-45…+85	-45…+85	-45…+85	-45…+85	⁰С

Параметры мощных одноэлементных импульсных лазерных диодов на 905 нм:

Параметр	905D1S1.5X	905D1S03X	905D1S06X	905D1S09X	905D1S12X	905D1S16X	Ед. изм.
Длина волны излучения	905	905	905	905	905		нм
Спектральная ширина линии	5	5	5	5	5	5	нм
Температурный коэффициент длины волны	0.27	0.27	0.27	0.27	0.27	0.27	нм/⁰С
Оптическая мощность	3	6	13	19	26	34	Вт
Излучающая площадка	37.5х1	75x1	150x1	230x1	300x1	400x1	мкм²
Максимальный прямой ток	3.5	7	15	22	30	40	А
Пороговый ток	100	200	400	600	800	1200	мА
Пиковое обратное напряжение	6	6	6	6	6	6	В
Длительность импульса	1	1	1	1	1	1	мкс
Коэффициент заполнения	0.1	0.1	0.1	0.1	0.1	0.1	%
Рабочая температура	-45…+85	-45…+85	-45…+85	-45…+85	-45…+85	-45…+85	⁰С

Параметры мощных многоэлементных импульсных лазерных диодов на 905 нм:

Параметр	905D2S06X	905D3S09X	905D3S12X	905D4S12X	905D4S16X	Ед. изм.
Длина волны излучения	905	905	905	905	905	нм
Спектральная ширина линии	5	5	5	5	5	нм
Температурный коэффициент длины волны	0.27	0.27	0.27	0.27	0.27	нм/⁰С
Оптическая мощность	25	55	70	90	130	Вт
Излучающая площадка	150х125	230x225	300x225	300x340	400x340	мкм²
Число элементов	2	3	3	4	4	шт
Максимальный прямой ток	15	22	30	30	40	А
Пороговый ток	400	600	800	800	1200	мА
Пиковое обратное напряжение	6	6	6	6	6	В
Длительность импульса	200	200	200	200	200	нс
Коэффициент заполнения	0.1	0.1	0.1	0.1	0.1	%
Рабочая температура	-45…+85	-45…+85	-45…+85	-45…+85	-45…+85	⁰С

Параметры мощных многоэлементных импульсных лазерных диодов на 905 нм, состоящих из нескольких стэков:

Параметр	905D1S03J08X	905D2S03J08X	905D3S3J08X	905D4S3J08X	905D5S3J08X	905D4S2L3J08X	905D5S2L3J08X	Ед. изм.
Длина волны излучения	905	905	905	905	905	905	905	нм
Спектральная ширина линии	7	7	7	7	7	7	7	нм
Температурный коэффициент длины волны	0.27	0.27	0.27	0.27	0.27	0.27	0.27	нм/⁰С
Оптическая мощность	65	130	195	260	325	520	650	Вт
Излучающая площадка	200х10	200х110	200х220	200х330	200х440	800x330	800x440	мкм²
Число элементов	1х3	2х3	3х3	4х3	5х3	2x(4x3)	2x(5x3)	шт
Максимальный прямой ток	11	20	27	34	40	60	60	А
Пороговый ток	750	750	750	750	750	1500	1500	мА
Пиковое обратное напряжение	6	6	6	6	6	6	6	В
Длительность импульса	150	150	150	150	150	150	150	нс
Коэффициент заполнения	0.1	0.1	0.1	0.1	0.1	0.1	0.1	%
Рабочая температура	-45…+85	-45…+85	-45…+85	-45…+85	-45…+85	-45…+85	-45…+85	⁰С

Поставщик

Laser Components

Для доступа к файлам требуется Авторизация

Документация на недорогие импульсные лазерные диоды на 905 нм серии UA

307.9 Кб

Документация на многоэлементные импульсные лазерные диоды на 905 нм

913.1 Кб

Документация на мощные одно- и многоэлементные импульсные лазерные диоды на 905 нм

972.3 Кб

Документация на мощные многоэлементные импульсные лазерные диоды на 905 нм

731.7 Кб

Оплата продукции производится по безналичному расчету на основании счета либо договора поставки. Компания АЗИМУТ ФОТОНИКС принимает участие в конкурсных торгах (электронных аукционах) на выполнение заказов от бюджетных организаций. Для бюджетных организаций предусмотрена работа с частичной предоплатой в рамках договоров по ФЗ.

Доставка оборудования и компонентов во все регионы России осуществляется транспортными компаниями (Major Express, Гарантпост, СДЭК) с обязательным соблюдением требований к транспортировке и хранению, также возможен самовывоз из нашего офиса в Москве. Условия отправки груза в страны СНГ и ЕАЭС необходимо уточнять отдельно у специалистов нашей компании.

Все поставляемое нами оборудование обеспечивается официальной гарантией производителей с отправкой на ремонт и замену. Как правило, срок гарантии – 1 год.