Задать вопрос

Ваше имя *:
Организация :
Телефон :
Ваш вопрос *:

* — Поля, обязательные для заполнения

Примечания:
  • скидка предоставляется при предъявлении действительного счета, выставленного не ранее чем за 3 дня до обращения;
  • во избежание представления ложных счетов конкурентов мы оставляем за собой право ограничить максимальную скидку, если счет конкурента будет признан нерентабельным;
  • в случае поставки крупногабаритного и/или тяжеловесного товара, решение о предоставлении скидки, может быть принято только после расчета логистических расходов.

Каталог продукции

Отправить запрос

Ваше имя *:
Телефон :
Ваш вопрос *:

* — Поля, обязательные для заполнения

Мой профиль

Логин
Пароль

Фотоэлектромагнитные HgCdTe-MCT детекторы ИК излучения

Фоторезистивные датчики инфракрасного излучения на основе КРТ (кадмий-ртуть-теллур, MCT=HgCdTe), работа которых основана на фотомагнитоэлектрическом (фотоэлектромагнитном) эффекте в полупроводниках, оптимизированы для обеспечения максимальной производительности при длине волны излучения 10.6 мкм. Конструкция датчика включает в себя чувствительный элемент на основе полупроводниковой структуры HgCdTe с оптимальным стехиометрическим составом и профилем распределения легирующей примеси, а также миниатюрные постоянные магниты для создания магнитного поля. Датчики прекрасно подходят для гетеродинного обнаружения излучения с длиной волны 10.6 мкм. Отсутствие фликкер-шума позволяет использовать их для одновременного обнаружения излучения с постоянной длиной волны и модулированного низкочастотного излучения в спектральном диапазоне от 2 до 11 мкм. Стандартные датчики выпускаются в специальных корпусах (с разъемом SMA) с клиновидным окном из фторида бария (BaF2).