Каталог продукции

Отправить запрос

Ваше имя *:
Телефон :
Ваш вопрос *:

* — Поля, обязательные для заполнения

Мой профиль

Логин
Пароль

Фотоэлектромагнитные HgCdTe-MCT детекторы

Фоторезистивные датчики инфракрасного излучения на основе КРТ (кадмий-ртуть-теллур, MCT=HgCdTe), работа которых основана на фотомагнитоэлектрическом (фотоэлектромагнитном) эффекте в полупроводниках, оптимизированы для обеспечения максимальной производительности при длине волны излучения 10.6 мкм. Конструкция датчика включает в себя чувствительный элемент на основе полупроводниковой структуры HgCdTe с оптимальным стехиометрическим составом и профилем распределения легирующей примеси, а также миниатюрные постоянные магниты для создания магнитного поля. Датчики прекрасно подходят для гетеродинного обнаружения излучения с длиной волны 10.6 мкм. Отсутствие фликкер-шума позволяет использовать их для одновременного обнаружения излучения с постоянной длиной волны и модулированного низкочастотного излучения в спектральном диапазоне от 2 до 11 мкм. Стандартные датчики выпускаются в специальных корпусах (с разъемом SMA) с клиновидным окном из фторида бария (BaF2).