Задать вопрос

Ваше имя *:
Организация :
Телефон :
Ваш вопрос *:

* — Поля, обязательные для заполнения

Примечания:
  • скидка предоставляется при предъявлении действительного счета, выставленного не ранее чем за 3 дня до обращения;
  • во избежание представления ложных счетов конкурентов мы оставляем за собой право ограничить максимальную скидку, если счет конкурента будет признан нерентабельным;
  • в случае поставки крупногабаритного и/или тяжеловесного товара, решение о предоставлении скидки, может быть принято только после расчета логистических расходов.

Каталог продукции

Отправить запрос

Ваше имя *:
Телефон :
Ваш вопрос *:

* — Поля, обязательные для заполнения

Мой профиль

Логин
Пароль

InGaAs фотодиоды, серия IG19, диапазон: 900-1900 нм

InGaAs фотодиоды, серия IG19, диапазон: 900-1900 нм
Поставщик: Laser Components

Отправить запрос по

InGaAs фотодиоды, серия IG19, диапазон: 900-1900 нм

Ваше имя *:
Телефон :
Ваш вопрос *:

* — Поля, обязательные для заполнения

Отложить продукт

InGaAs фотодиоды, серия IG19, диапазон: 900-1900 нм

Комментарии к товару
InGaAs фотодиоды, серия IG19, диапазон: 900-1900 нм InGaAs фотодиоды, серия IG19, диапазон: 900-1900 нм

Фотодиоды InGaAs серии IG19 представляют собой панохроматические пин-фотодиоды, которые работают в спектральном диапазоне 900-1900 нм и имеют диаметр активной области 0,25 мм и 1 мм. Эти фотодиоды изготавливаются в герметичном металлическом ТО-корпусе с возможностью использования встроенного термоэлектрического Пельтье холодильника, а также для поверхностного монтажа в виде голого чипа. Эти InGaAs фотодиоды обладают превосходным шунтирующим сопротивлением в сочетании с высокой чувствительностью в широком спектральном диапазоне.

Особенности:

- спектральный диапазон 900-1900 нм;

- типовая пиковая чувствительность 1.15 А/Вт;

- превосходная температурная стабильность;

- широкий динамический диапазон.

Применения:

- спектрофотометрия;

- контроль диодных лазеров.

Оптические параметры фотодиодов InGaAs серии IG19 на диапазон 900-1900 нм (спецификация при температуре +25 0С):

Модель

Диаметр активной области, мкм

Длина волны 50% отсечки, мкм

Пиковая длина волны, мкм

Пиковая чувствительность, А/Вт

Пиковая чувствительность при 520 нм, А/Вт

Чувствительность при 1500 нм, А/Вт

Чувствительность при 1700 нм, А/Вт

Мин.

Тип.

Мин.

Тип.

Мин.

Тип.

Мин.

Тип.

IG19X250S4i

250

>1.87

1.75±0.1

1.1

1.15

---

0.10

0.77

0.96

0.9

1.05

IG19X1000S4i

1000

Электрооптические параметры фотодиодов InGaAs серии IG19 на диапазон 900-1900 нм без термоэлектрического охлаждения (спецификация при температуре +25 0С):

Модель

Диаметр активной области, мкм

Шунтирующее сопротивление при Vr=10мВ, МОм

Темновой ток при Vr=0.25В, нА

Пиковая обнаружительная способность D*, смГц1/2/Вт

Пиковая чувствительность NEP, Вт/Гц1/2

Емкость при Vr=0В, пФ

Мин.

Тип.

Тип.

Макс.

Мин.

Тип.

Мин.

Тип.

Тип.

IG19X250S4i

250

8

16

5

50

1.2*1012

1.7*1012

2.9*10-14

4.1*10-14

60

IG19X1000S4i

1000

0.8

1.6

40

400

7.6*1011

1.1*1012

0.9*10-13

1.3*10-13

1040

Электрооптические параметры фотодиодов InGaAs серии IG19 на диапазон 900-1900 нм с термоэлектрическим охлаждением (спецификация при температуре +25 0С):

Модель

Диаметр активной области, мкм

Рабочая температура,0С

Шунтирующее сопротивление при Vr=10мВ, МОм

Пиковая обнаружительная способность D*, смГц1/2/Вт

Пиковая чувствительность NEP, Вт/Гц1/2

Емкость при Vr=0В, пФ

Мин.

Тип.

Тип.

Тип.

Тип.

IG19X1000T7

1000

-20

30

105

8.8*1012

1.1*10-14

1040

IG19X1000T9

1000

-40

160

400

1.5*1013

6.6*10-15

1040