Официальный дистрибьютор продукции компании THORLABS
Оптомеханика

Задать вопрос

Ваше имя *:
Организация :
Телефон :
Ваш вопрос *:

* — Поля, обязательные для заполнения

Примечания:
  • скидка предоставляется при предъявлении действительного счета, выставленного не ранее чем за 3 дня до обращения;
  • во избежание представления ложных счетов конкурентов мы оставляем за собой право ограничить максимальную скидку, если счет конкурента будет признан нерентабельным;
  • в случае поставки крупногабаритного и/или тяжеловесного товара, решение о предоставлении скидки, может быть принято только после расчета логистических расходов.

Каталог продукции

Отправить запрос

Ваше имя *:
Телефон :
Ваш вопрос *:

* — Поля, обязательные для заполнения

Мой профиль

Логин
Пароль

Фотодиоды чувствительные в синей области

Фотодиоды чувствительные в синей области
Поставщик: OSI Optoelectronics

Отправить запрос по

Фотодиоды чувствительные в синей области

Ваше имя *:
Телефон :
Ваш вопрос *:

* — Поля, обязательные для заполнения

Отложить продукт

Фотодиоды чувствительные в синей области

Комментарии к товару

Кремниевые фотодиоды с расширенной чувствительностью в синей области спектра, работающие в фотогальваническом режиме, используются для применений, требующих высокую чувствительность сине-голубом спектре и умеренные скорости отклика. Эти фотодиоды имеют спектральный диапазон 350-1100 нм и дополнительную чувствительность в области 350-550 нм.

Фотодиоды с фотогальваническим режимом работы имеют высокое шунтирующее сопротивление, низкий уровень шума и проявляют долговременную стабильность. В фотогальваническом режиме к фотодиоду не прикладывается ни какое напряжение, он сам становится источником ЭДС с большим внутренним сопротивлением, поэтому такие фотодиоды остаются стабильными в широком температурном диапазоне или при низкой скорости считывания. Для использования в задачах с высокими уровнями освещенности (более 10 мВт/см2) для улучшения линейности рекомендуется использовать фотодиоды, работающие в фотодиодном режиме.

Эти фотодиоды не предназначены для использования с обратно смещенным напряжением! Очень незначительное улучшение времени отклика может быть получено при подаче незначительного напряжения смещения. Приложение обратного смещения с напряжением более чем на несколько вольт превышающим 3 В приведет к выходу фотодиода из строя. Если требуется получения быстрого времени отклика, то стоит рассматривать фотодиоды, работающие в фотодиодном режиме.

Технические параметры фотодиодов с увеличенной чувствительностью в синей области спектра:

Модель

Активная область

Чувств. на пике, А/Вт

Емкость,

пФ

Шунтирующее сопротивление, МОм

NEP1,

Вт/Гц1/2

Макс. рабочий ток, мА

Время нарастания,

мкс

Корпус2

Площадь,

мм2

Диаметр,

мм

Мин

Типовая

PIN-040DP/SB

0.81

1.02

0.15

0.20

60

600

2*10-14

0.5

0.02

ТО-18

PIN-5DP/SB

5.1

2.54

0.15

0.20

450

150

5.2*10-14

2

0.2

ТО-5

PIN-10DP/SB

100

11.28

0.15

0.20

8800

10

2*10-13

10

2

BNC/

PIN-10DPI/SB

100

11.28

0.15

0.20

8800

10

2*10-13

10

2

металлический

PIN-220DP/SB

200

10 x 20

0.15

0.20

17000

5

2.9*10-13

10

4

пластиковый

OSD1-5T

1

1 х 1

0.18

0.21

35

250

2.5*10-14

1

7

ТО-18

OSD3-5T

3

2.5 x 1.2

0.18

0.21

80

100

3*10-14

2

9

ТО-18

OSD5-5T

5

2.5

0.18

0.21

30

100

3.3*10-14

2

9

ТО-5

OSD15-5T

15

3.8 х 3.8

0.18

0.21

390

50

5.6*10-14

10

12

ТО-5

OSD60-5T

62

7.9 х 7.9

0.18

0.21

1800

3

2.1*10-14

25

30

ТО-8

OSD100-5TA

100

11.3

0.18

0.21

2500

2

2.5*10-14

30

45

спец. корпус

Примечание:

1 - NEP (Noise Equivalent Power) - эквивалентная мощность шума. Под эквивалентной мощностью шума понимают среднеквадратическое значение мощности флуктуаций светового потока, падающего на фотоприемник, при котором в фотоприемнике при отсутствии собственных шумов возникали бы флуктуации тока, соответствующие наблюдаемым флуктуациям, обусловленным собственным шумом.

2 - Чертеж корпуса каждой модели приведен в соответствующем datasheet.