Официальный дистрибьютор продукции компании THORLABS
Оптомеханика

Задать вопрос

Ваше имя *:
Организация :
Телефон :
Ваш вопрос *:

* — Поля, обязательные для заполнения

Примечания:
  • скидка предоставляется при предъявлении действительного счета, выставленного не ранее чем за 3 дня до обращения;
  • во избежание представления ложных счетов конкурентов мы оставляем за собой право ограничить максимальную скидку, если счет конкурента будет признан нерентабельным;
  • в случае поставки крупногабаритного и/или тяжеловесного товара, решение о предоставлении скидки, может быть принято только после расчета логистических расходов.

Каталог продукции

Отправить запрос

Ваше имя *:
Телефон :
Ваш вопрос *:

* — Поля, обязательные для заполнения

Мой профиль

Логин
Пароль

Фотодиоды с фотодиодным режимом работы

Фотодиоды с фотодиодным режимом работы
Поставщик: OSI Optoelectronics

Отправить запрос по

Фотодиоды с фотодиодным режимом работы

Ваше имя *:
Телефон :
Ваш вопрос *:

* — Поля, обязательные для заполнения

Отложить продукт

Фотодиоды с фотодиодным режимом работы

Комментарии к товару

Кремниевые фотодиоды, работающие в фотодиодном режиме, предназначены для использования в высокоскоростных применениях и задач, требующих от фотоприемника высокой чувствительности. Спектральный диапазон составляет от 350 нм до 1100 нм, что делает эти фотодиоды идеально подходящими для применений в видимой и ближней инфракрасной области спектра, включая такие приложения как обнаружение импульсных лазерных источников, светодиодов или модулируемого света.

Два достижения высоких скоростей эти фотодиоды должны использоваться при обратном напряжении смещения. Например, типовое время отклика, которое составляет от 10 нс до 250 нс, может быть получено при приложении обратного напряжения 10 В. При приложении обратного напряжения смещения, уменьшается емкость, что соответствует увеличению скорости отклика. Обратное напряжение смещения не должно превышать 30 В. Более высокое напряжение смещения приведет к необратимому повреждению фотодиода.

Поскольку обратное напряжение смещения генерирует дополнительный темновой ток, шум в фотодиоде также будет увеличиваться при увеличении приложенного напряжения смещения. Если необходимо использовать малошумящие фотодиоды, то нужно рассматривать фотодиоды, работающие в фотогальваническом режиме.

Технические параметры фотодиодов, предназначенных для работы в фотодиодном режиме:

Модель

Активная область

Пик чувств., нм

Чувств. на пике, А/Вт

Емкость,

пФ

Темновой ток, нА при -10 В

NEP1,

Вт/Гц1/2 при -10В, 970нм

Макс. смещение, В

Время нарастания,

нс при -10В, 632нм, 50Ом

Корпус2

Площадь, мм2

Размеры, мм

Мин.

Тип.

-10В

Тип.

Макс.

Металлический корпус:

PIN-020A

0.20

0.51

970

0.60

0.65

4

1

0.01

0.15

2.8*10-15

30

6

TO-18

PIN-040A

0.81

1.02

970

0.60

0.65

8

2

0.05

0.5

6.2*10-15

30

8

TO-18

PIN-2DI3

1.1

0.81 x 1.37

970

0.60

0.65

25

5

0.1

1

8.7*10-15

30

10

TO-18

PIN-3CDI/ PIN-3CD

3.2

1.27 x 2.54

970

0.60

0.65

45

12

0.15

2

1.1*10-14

30

10

TO-18

PIN-5DI/ PIN-5D

5.1

2.54

970

0.60

0.65

85

15

0.25

3

1.4*10-14

30

12

TO-5

PIN-13DI/ PIN-13D

13

3.6 x 3.6

970

0.60

0.65

225

40

0.35

6

1.6*10-14

30

14

TO-5

PIN-6DI/ PIN-6D

16.4

4.57

970

0.60

0.65

330

60

0.5

10

1.9*10-14

30

17

TO-8

PIN-44DI/ PIN-44D

44

6.6 x 6.6

970

0.60

0.65

700

130

1

15

2.8*10-14

30

24

TO-8

PIN-10DI/ PIN-10D

100

11.28

970

0.60

0.65

1500

300

2

25

3.9*10-14

30

43

низкопр.BNC

PIN-25D

613

27.9

970

0.60

0.65

9500

1800

15

1000

1.1*10-13

50

250

BNC

OSD1-0

1

1 x 1

900

0.47

0.54

12

3

1

3

4.5*10-14

50

10

ТО-18

OSD5-0

5

2.5

900

0.47

0.54

50

8

5

10

1*10-13

50

8

TO-5

OSD15-0

15

3.8 х 3.8

900

0.47

0.54

150

20

8

15

1.3*10-13

50

9

TO-5

OSD60-0

58

7.6 х 7.6

900

0.47

0.54

600

75

15

50

1.7*10-13

50

14

TO-8

OSD100-0A

100

11.3

900

0.47

0.54

1000

130

30

70

2.5*10-13

50

19

Спец. корпус

Пластиковый корпус4:

PIN-220D

200

10 х 20

970

0.60

0.65

3200

600

5

100

6.2*10-14

30

75

Пластиковый корпус


Примечание:

1- NEP (Noise Equivalent Power)- эквивалентная мощность шума. Под эквивалентной мощностью шума понимают среднеквадратическое значение мощности флуктуаций светового потока, падающего на фотоприемник, при котором в фотоприемнике при отсутствии собственных шумов возникали бы флуктуации тока, соответствующие наблюдаемым флуктуациям, обусловленным собственным шумом.

2 - Чертеж корпуса каждой модели приведен в соответствующем datasheet.

3 - Буква i в парт-номере модели указывает на наличие третьего контакта заземления.

4 - Фотодиоды, в чьем парт-номере есть аббревиатура FIL, расположены в низкопрофильных пластиковых корпусах. За счет этого увеличивается угол обзора чипа фотодиода; кроме того, выводы таких фотодиодов расположены в два ряда (см. чертежи в datasheet).