Каталог продукции

Отправить запрос

Ваше имя *:
Телефон :
Ваш вопрос *:

* — Поля, обязательные для заполнения

Мой профиль

Логин
Пароль

Фоторезистивные HgCdTe-MCT детекторы

Фоторезистивные датчики инфракрасного излучения на основе КРТ (кадмий-ртуть-теллур, MCT=HgCdTe) оптимизированы для обеспечения максимальной производительности при длине волны λopt. Коротковолновая граница области спектральной чувствительности λcut-on≈0,9 мкм. Для возникновения фототока необходимо подавать напряжение смещения. Снижение производительности на низких частотах (менее 20 кГц) обусловлено наличием шума 1/f. Стандартные датчики выпускаются в корпусах TO39 и BNC без входных окон.