Официальный дистрибьютор продукции компании THORLABS

Задать вопрос

Ваше имя *:
Организация :
Телефон :
Ваш вопрос *:

* — Поля, обязательные для заполнения

Примечания:
  • скидка предоставляется при предъявлении действительного счета, выставленного не ранее чем за 3 дня до обращения;
  • во избежание представления ложных счетов конкурентов мы оставляем за собой право ограничить максимальную скидку, если счет конкурента будет признан нерентабельным;
  • в случае поставки крупногабаритного и/или тяжеловесного товара, решение о предоставлении скидки, может быть принято только после расчета логистических расходов.

Каталог продукции

Отправить запрос

Ваше имя *:
Телефон :
Ваш вопрос *:

* — Поля, обязательные для заполнения

Мой профиль

Логин
Пароль

Фотодиоды с обедненным слоем

Фотодиоды с обедненным слоем
Поставщик: OSI Optoelectronics
Техническая документация

Отправить запрос по

Фотодиоды с обедненным слоем

Ваше имя *:
Телефон :
Ваш вопрос *:

* — Поля, обязательные для заполнения

Отложить продукт

Фотодиоды с обедненным слоем

Комментарии к товару

Высокоскоростные фотодиоды с большой активной областью могут иметь полностью обедненный слой для достижения минимально возможной емкости pn-перехода для получения быстрого времени отклика.

Эти фотодиоды могут работать при более высоком обратном напряжении смещения, вплоть до максимально допустимого значения, для достижения времени отклика даже короче наносекунд. При таком высоком обратном напряжении смещения повышается напряженность электрического поля на pn-переходе, тем самым увеличивается время сбора заряда в обедненной области. Стоит отметить, что это достигается без принесения в жертву высокой чувствительности, а также размера активной области. Фотодиоды с большой активной областью могут иметь полностью обедненный слой для регистрации рентгеновских лучей, а также высокоэнергетических частиц, таких как электроны, альфа лучи и тяжелые ионы.

Технические параметры фотодиодов с обедненным слоем:

Модель

Активная область

Чувствительность при 900 нм, А/Вт

Шунтирующее сопротивление, ГОм

Емкость, пФ

NEP, Вт/Гц1/2

Корпус, ножки/тип

Площадь, мм2

Размер, мм

OSD35-LR-A

34.2

5.8 x 5.9

0.54

3

1300

5.6*10-15

25 / керамика

OSD35-LR-D

34.2

5.8 x 5.9

0.54

0.3

1300

1.8*10-14

25 / керамика

PIN-RD15

14.9

4.35

0.58

---

14

2.5*10-14

26 / ТО-8

PIN-RD100

100

10 х 10

0.60

---

50

3.2*10-14

25 / керамика

PIN-RD100A

100

10 х 10

0.60

---

40

3.4*10-14

25 / керамика