Официальный дистрибьютор продукции компании THORLABS

Задать вопрос

Ваше имя *:
Организация :
Телефон :
Ваш вопрос *:

* — Поля, обязательные для заполнения

Примечания:
  • скидка предоставляется при предъявлении действительного счета, выставленного не ранее чем за 3 дня до обращения;
  • во избежание представления ложных счетов конкурентов мы оставляем за собой право ограничить максимальную скидку, если счет конкурента будет признан нерентабельным;
  • в случае поставки крупногабаритного и/или тяжеловесного товара, решение о предоставлении скидки, может быть принято только после расчета логистических расходов.

Каталог продукции

Отправить запрос

Ваше имя *:
Телефон :
Ваш вопрос *:

* — Поля, обязательные для заполнения

Мой профиль

Логин
Пароль

Импульсные лазерные диоды на 905 нм

Импульсные лазерные диоды на 905 нм

Отправить запрос по

Импульсные лазерные диоды на 905 нм

Ваше имя *:
Телефон :
Ваш вопрос *:

* — Поля, обязательные для заполнения

Отложить продукт

Импульсные лазерные диоды на 905 нм

Комментарии к товару

Компания Laser Components производит импульсные лазерные диоды высокой мощности с длиной волны излучения 905 нм. Структура AlGaAs позволяет получить высокую степень надежности и стабильности температуры, а также достигает лучшие характеристики луча. Импульсные лазерные диоды на 905 нм поставляются в металлических корпусах TO-18, 5.6 мм, 9 мм, в коаксиальном корпусе 8-32, а также в виде чипа установленного на керамическую подложку. По запросу клиентов также возможно изготовление импульсных лазерных диодов под конкретные задачи.

Импульсные лазерные диоды на 905 нм доступны в виде отдельных элементов или стэков из нескольких элементов с пиковой мощностью до 650 Вт. При производительности в 1 Вт/А импульсные лазерные диоды построенные на основе отдельных элементов достигают выходную мощность в 34 Вт, в то время как многоэлементные стэки позволяют получить выходную мощность до 650 Вт при длительности импульса 150 нс и коэффициенте заполнения 0,1%.

Импульсные лазерные диоды серии UA с длиной волны излучения на 905 нм изготавливаемые в герметичном металлическом корпусе TO-56 представляют собой недорогую альтернативу импульсным лазерным диодам в пластмассовом корпусе. Кроме того, они обладают высокой надежностью, оптимальной термостабильностью и очень точным позиционированием чипа внутри корпуса. Импульсные лазерные диоды типа 905DxxUA достигают пиковой мощности от 6 Вт до 75 Вт при длительности импульса 150 нс и коэффициенте заполнения 0,1%.

Многоэлементные импульсные лазерные диоды демонстрируют пиковую мощность до 130 Вт при длительности импульса 200 нс. Герметичный корпус обеспечивает высокую надежность и очень точное выравнивание чипа внутри корпуса.

Многоэлементные импульсные лазерные диоды, состоящие из нескольких стэков, позволяют получить пиковую мощность до 650 Вт при длине волны излучения 905 нм. Они основаны на нескольких эпитаксиально-интегрированных излучателях с общей площадью излучающей поверхности 200х10 мкм и поэтому обеспечивают оптимальную интенсивность излучения. В зависимости от количества интегральных стэков можно получить пиковую мощность до 650 Вт.

Импульсные лазерные диоды на 905 нм используются в дальномерах, измерителях скорости, в лазерных радарах и системах безопасности.

Особенности:

- пиковая выходная мощность до 650 Вт;

- производительность до 2.6 Вт/А;

- минимальное отклонение луча;

- превосходная температурная стабильность;

- различные варианты герметичных корпусов.

Параметры недорогих импульсных лазерных диодов на 905 нм:

Параметр

905D1S03UA

905D1S09UA

905D1S3J03UA

905D1S3J09UA

Ед. изм.

Длина волны излучения

905

905

905

905

нм

Спектральная ширина линии

8

8

8

8

нм

Температурный коэффициент

 длины волны

0.27

0.27

0.27

0.27

нм/0С

Оптическая мощность

6.5

19

25

75

Вт

Излучающая площадка

75х1

230x1

85x10

235x10

мкм2

Максимальный прямой ток

7

22

11

35

А

Пороговый ток

250

750

500

800

мА

Прямое напряжение

3

4.7

9.5

12.8

В

Пиковое обратное напряжение

6

6

6

6

В

Длительность импульса

1

1

1

1

мкс

Коэффициент заполнения

0.1

0.1

0.1

0.1

%

Рабочая температура

-45…+85

-45…+85

-45…+85

-45…+85

0С

Параметры многоэлементных импульсных лазерных диодов на 905 нм:

Параметр

905D1S3J03X

905D1S3J06X

905D1S3J09X

905D2S3J09X

905D3S3J09X

Ед. изм.

Длина волны излучения

905

905

905

905

905

нм

Спектральная ширина линии

8

8

8

8

8

нм

Температурный коэффициент

 длины волны

0.27

0.27

0.27

0.27

0.27

нм/0С

Оптическая мощность

25

50

75

130

200

Вт

Излучающая площадка

85х10

160x10

235x10

235x200

235x400

мкм2

Максимальный прямой ток

11

22

20

35

35

А

Пороговый ток

300

500

800

800

800

мА

Прямое напряжение

12

11

11

11

11

В

Пиковое обратное напряжение

6

6

6

6

6

В

Длительность импульса

150

150

150

150

150

нс

Коэффициент заполнения

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

%

Рабочая температура

-45…+85

-45…+85

-45…+85

-45…+85

-45…+85

0С

Параметры мощных одноэлементных импульсных лазерных диодов на 905 нм:

Параметр

905D1S1.5X

905D1S03X

905D1S06X

905D1S09X

905D1S12X

905D1S16X

Ед. изм.

Длина волны излучения

905

905

905

905

905

нм

Спектральная ширина линии

5

5

5

5

5

5

нм

Температурный коэффициент

 длины волны

0.27

0.27

0.27

0.27

0.27

0.27

нм/0С

Оптическая мощность

3

6

13

19

26

34

Вт

Излучающая площадка

37.5х1

75x1

150x1

230x1

300x1

400x1

мкм2

Максимальный прямой ток

3.5

7

15

22

30

40

А

Пороговый ток

100

200

400

600

800

1200

мА

Пиковое обратное напряжение

6

6

6

6

6

6

В

Длительность импульса

1

1

1

1

1

1

мкс

Коэффициент заполнения

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

%

Рабочая температура

-45…+85

-45…+85

-45…+85

-45…+85

-45…+85

-45…+85

0С

Параметры мощных многоэлементных импульсных лазерных диодов на 905 нм:

Параметр

905D2S06X

905D3S09X

905D3S12X

905D4S12X

905D4S16X

Ед. изм.

Длина волны излучения

905

905

905

905

905

нм

Спектральная ширина линии

5

5

5

5

5

нм

Температурный коэффициент

длины волны

0.27

0.27

0.27

0.27

0.27

нм/0С

Оптическая мощность

25

55

70

90

130

Вт

Излучающая площадка

150х125

230x225

300x225

300x340

400x340

 мкм2

Число элементов

2

3

3

4

4

шт

Максимальный прямой ток

15

22

30

30

40

А

Пороговый ток

400

600

800

800

1200

мА

Пиковое обратное напряжение

6

6

6

6

6

В

Длительность импульса

200

200

200

200

200

нс

Коэффициент заполнения

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

%

Рабочая температура

-45…+85

-45…+85

-45…+85

-45…+85

-45…+85

0С

Параметры мощных многоэлементных импульсных лазерных диодов на 905 нм, состоящих из нескольких стэков:

Параметр

905D1S03J08X

905D2S03J08X

905D3S3J08X

905D4S3J08X

905D5S3J08X

905D4S2L3J08X

905D5S2L3J08X

Ед. изм.

Длина волны излучения

905

905

905

905

905

905

905

нм

Спектральная ширина линии

7

7

7

7

7

7

7

нм

Температурный коэффициент

длины волны

0.27

0.27

0.27

0.27

0.27

0.27

0.27

нм/0С

Оптическая мощность

65

130

195

260

325

520

650

Вт

Излучающая площадка

200х10

200х110

200х220

200х330

200х440

800x330

800x440

мкм2

Число элементов

1х3

2х3

3х3

4х3

5х3

2x(4x3)

2x(5x3)

шт

Максимальный прямой ток

11

20

27

34

40

60

60

А

Пороговый ток

750

750

750

750

750

1500

1500

мА

Пиковое обратное напряжение

6

6

6

6

6

6

6

В

Длительность импульса

150

150

150

150

150

150

150

нс

Коэффициент заполнения

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

%

Рабочая температура

-45…+85

-45…+85

-45…+85

-45…+85

-45…+85

-45…+85

-45…+85

0С