Фотоэлектрические детекторы InSb на основе антимонида индия предлагаемые компанией Infrared Associates представляют собой детекторы, p-n переходы которых образованны методом меза-технологии с использованием монокристаллического материала. Этот процесс дает высочайшее качество фотодиодов InSb, которые демонстрируют отличные электрооптические характеристики в спектральном диапазоне длин волн от 1 мкм до 5.5 мкм. Фотодиоды InSb представляют собой детекторы ограниченные фоном и их эффективность может быть повышена за счет пространственного (охлаждение поля обзора) или спектрального (охлаждение интерференционных фильтров) снижения фона.
