Оптомеханика

Задать вопрос

Ваше имя *:
Организация :
Телефон :
Ваш вопрос *:

* — Поля, обязательные для заполнения

Примечания:
  • скидка предоставляется при предъявлении действительного счета, выставленного не ранее чем за 3 дня до обращения;
  • во избежание представления ложных счетов конкурентов мы оставляем за собой право ограничить максимальную скидку, если счет конкурента будет признан нерентабельным;
  • в случае поставки крупногабаритного и/или тяжеловесного товара, решение о предоставлении скидки, может быть принято только после расчета логистических расходов.

Нажимая на кнопку «Отправить»,
Вы принимаете условия
Политики конфиденциальности

Каталог продукции

Отправить запрос

Ваше имя *:
Телефон :
Ваш вопрос *:

* — Поля, обязательные для заполнения


Нажимая на кнопку «Отправить»,
Вы принимаете условия
Политики конфиденциальности

Мой профиль

Логин
Пароль

Фотодиоды InGaAs с обратной засветкой

Фотодиоды InGaAs с обратной засветкой
Поставщик: OSI Optoelectronics
Техническая документация

Отправить запрос по

Фотодиоды InGaAs с обратной засветкой

Ваше имя *:
Телефон :
Ваш вопрос *:

* — Поля, обязательные для заполнения


Нажимая на кнопку «Отправить»,
Вы принимаете условия
Политики конфиденциальности

Отложить продукт

Фотодиоды InGaAs с обратной засветкой

Комментарии к товару

Фотодиоды InGaAs серии FCI-InGaAs-300B1XX являются многофункциональными фотоприемниками с обратной засветкой. Они выпускаются в стандартной комплектации в виде одноэлементного фотодиода элемента или 4-х или 8-ми элементной линейки фотодиодов с активной областью 300 мкм. Эти фотодиоды InGaAs с обратной засветкой предназначены монтажа методом перевернутого кристалла (активной зоной вверх) или установлены лицевой стороной вниз для минимизации габаритов. Данные фотодиоды обладают низкой индуктивностью, малым темновым током и низкой емкостью, а также поставляются на или без керамических подложек.

Технические параметры фотодиодов InGaAs с обратной засветкой:

Модель

Диаметр активной области, мкм

Шаг пикселя, мкм

Чувствит. при 1310 нм, А/Вт

Чувствит. при 1550 нм, А/Вт

Темновой ток при Vr=-5В, нА

Емкость при Vr=-5В, пФ

Макс. обратный ток, мА

Макс. прямой ток, мА

Полоса пропускания, МГц

Напряжение пробоя, В

FCI-InGaAs-300B1

300

---

0.8

0.85

0.05

8

5

25

100

10

FCI-InGaAs-300B1x4

300

500

0.8

0.85

0.05

8

5

25

100

10

FCI-InGaAs-300B1x8

300

500

0.8

0.85

0.05

8

5

25

100

10